[發(fā)明專利]一種鎳/氧化硒納米顆粒復合鍍層的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201611126901.0
• 申請日: 2016-12-09
• 公開（公告）號: CN108221029A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 宋振興;謝玉娟
• 申請（專利權）人: 天津瑞賽可新材料科技有限公司
• 主分類號: C25D15/00
• 分類號: C25D15/00;C25D3/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1. 一種鎳/氧化硒納米顆粒復合鍍層的制備方法，其特征在于其鍍液有以下濃度的組分構成：300-400 g/L 氨基磺酸鎳，12-25 g/L氯化銨(NH4Cl),40-80 g/L 硼酸(H3BO3),0.2-1.0 g/L 十二烷基硫酸鈉(C12H25SO4Na)；鍍液中加入40-60 g/L粒徑為 40 nm、純度高于 99.99%的 CeO2 納米顆粒，電沉積電流密度 2-5A/dm²。

2.權利要求1所述的鎳/氧化硒納米顆粒復合鍍層的制備方法，其特征在于其鍍液有以下濃度的組分構成：300 g/L 氨基磺酸鎳，12 g/L氯化銨,40 g/L 硼酸,0.2 g/L 十二烷基硫酸鈉；鍍液中加入40 g/L粒徑為 40 nm、純度高于 99.99%的 CeO2 納米顆粒，電沉積電流密度 2A/dm²。

3.權利要求1所述的鎳/氧化硒納米顆粒復合鍍層的制備方法，其特征在其鍍液有以下濃度的組分構成：400 g/L 氨基磺酸鎳，25 g/L氯化銨,80 g/L 硼酸,1.0 g/L 十二烷基硫酸鈉；鍍液中加入60 g/L粒徑為 40 nm、純度高于 99.99%的 CeO2 納米顆粒，電沉積電流密度 2-5A/dm²。

4.權利要求1所述的鎳/氧化硒納米顆粒復合鍍層的制備方法，其鍍液有以下濃度的組分構成：350 g/L 氨基磺酸鎳，18 g/L氯化銨,60 g/L 硼酸,0.2-1.0 g/L 十二烷基硫酸鈉；鍍液中加入50 g/L粒徑為 40 nm、純度高于 99.99%的 CeO2 納米顆粒，電沉積電流密度4A/dm²。