[發(fā)明專利]三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611125626.0 | 申請日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN106633002B | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭婷;彭灃;應(yīng)磊;楊偉;彭俊彪;曹鏞 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;H01L51/54 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
| 地址: | 510640 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三芳胺端基 含量 可調(diào) 主鏈含 二氧 噻吩 聚合物 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機光電發(fā)光材料領(lǐng)域,具體涉及三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
1990年,英國劍橋大學卡文迪許實驗室發(fā)表了第一個利用共軛高分子PPV制備的聚合物薄膜電致發(fā)光器件,從而正式拉開了聚合物發(fā)光二極管(PLED)研究的序幕。與小分子發(fā)光二極管一樣,聚合物發(fā)光二極管也具有高效、低電壓驅(qū)動,易于大面積制備等優(yōu)點。此外,聚合物發(fā)光二極管還有其獨特的優(yōu)越性:(1)可通過溶液旋涂、卷對卷等方法制備大面積薄膜;(2)共軛聚合物電子結(jié)構(gòu)、發(fā)光顏色很容易通過化學結(jié)構(gòu)的改變和修飾進行調(diào)節(jié);(3)共軛聚合物通過修飾可以避免結(jié)晶,進而提高器件穩(wěn)定性。
PLED器件由陰極、陽極和中間的有機層構(gòu)成,有機層一般包括電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層,首先電子和空穴分別從陰陽兩極注入,并分別在功能層中進行遷移,然后電子和空穴在合適的位置形成激子,激子在一定范圍內(nèi)進行遷移,最后激子發(fā)光。
主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物發(fā)光材料是PLED研究領(lǐng)域的明星材料。Martin R.Bryce和楊偉課題組合成了一系列基于S,S-二氧-二苯并噻吩的高效率紅、綠、藍三種顏色光的聚合物[Macromolecules,2010,43,4481-4488;Advanced FunctionalMaterials,2013,23,4366-4376]。然而大部分基于S,S-二氧-二苯并噻吩的高效率器件結(jié)果都是在雙層器件結(jié)構(gòu)下實現(xiàn)的,通常是在PEDOT:PSS和發(fā)光層之間再增加一層PVK作為空穴傳輸層。原因在于S,S-二氧-二苯并噻吩單元的引入會降低聚合物的HOMO能級,提高器件的空穴注入勢壘,降低空穴傳輸性能;另外一方面,S,S-二氧-二苯并噻吩單元的引入會大幅提高聚合物的電子傳輸性能。空穴和電子傳輸此消彼長使得單層器件的載流子傳輸不平衡,激子復合幾率下降,器件效率和穩(wěn)定降低。因此平衡載流子傳輸是提高S,S-二氧-二苯并噻吩聚合物器件效率的關(guān)鍵所在。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物載流子傳輸不平衡的缺點,提供一種三芳胺類封端的,且三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物材料。
本發(fā)明聚合物材料端基引入三芳胺類空穴傳輸小分子,三芳胺類化合物是典型的P型材料,具有較高的空穴遷移率和較淺的HOMO能級;同時三芳胺端基的含量可通過聚合物分子量的控制來調(diào)節(jié),使得聚合物具有更好的電子和空穴傳輸能力,可以平衡載流子的傳輸,使得更多的激子有效復合,進而提高聚合物的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。
本發(fā)明的目的還在于提供所述三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物材料的制備方法。
本發(fā)明的目的還在于提供所述三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物材料在制作發(fā)光二極管的發(fā)光層中的應(yīng)用。
本發(fā)明的具體技術(shù)方案如下。
三芳胺端基含量可調(diào)的主鏈含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物,具有如下化學結(jié)構(gòu)式:
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