[發明專利]基于CH3NH3PbI3材料的互補型HEMT及其制備方法有效
| 申請號： | 201611125222.1 | 申請日： | 2016-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN106486600B | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發明（設計）人： | 賈仁需;汪鈺成;龐體強;劉銀濤;張玉明 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710071 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 ch3nh3pbi3 材料 互補 hemt 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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