[發(fā)明專利]基于Ga₂O₃材料的復(fù)合型雙柵PMOS器件及其制備方法有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201611124459.8	申請(qǐng)日：	2016-12-08
公開（公告）號(hào)：	CN106449416B	公開（公告）日：	2019-05-10
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	元磊;張弘鵬;賈仁需;張玉明	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	西安電子科技大學(xué)
主分類號(hào)：	H01L21/336	分類號(hào)：	H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423
代理公司：	西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230	代理人：	劉長(zhǎng)春
地址：	710071 陜西省***	國(guó)省代碼：	陜西;61
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	基于 ga2o3 材料復(fù)合型高速 pmos 器件及其制備方法
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