[發明專利]基于CH3NH3PbI3材料的襯底反光增強N型異質結HEMT及其制備方法

有效

• 申請號: 201611124458.3
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106784320B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 賈仁需;劉銀濤;汪鈺成;龐體強;張玉明
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/00;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的襯底反光增強N型異質結HEMT的制備方法，其特征在于，包括：

選取藍寶石襯底；

在所述藍寶石襯底下表面形成反光層；

在所述藍寶石襯底上表面制作源漏電極；

在所述源漏電極以及未被所述源漏電極覆蓋的所述藍寶石襯底上表面形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面形成包括CH₃NH₃PbI₃材料的光吸收層；

在所述光吸收層表面制作柵電極以最終形成所述N型異質結HEMT；

在所述電子傳輸層表面形成包括CH₃NH₃PbI₃材料的光吸收層，包括：

利用單一旋涂工藝，在所述電子傳輸層表面旋涂質量濃度為8mg/ml的PCBM材料，退火處理后形成活性層；

利用單一旋涂工藝，在所述活性層表面旋涂CH₃NH₃PbI₃材料；

利用退火工藝，對所述CH₃NH₃PbI₃材料進行退火處理形成所述光吸收層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述藍寶石襯底下表面形成反光層，包括：

以Ag材料作為靶材，以Ar作為濺射氣體通入濺射腔，在真空度為6×10^-4～1.3×10^-3Pa，濺射功率為20～100W的條件下，利用磁控濺射工藝，在所述藍寶石襯底下表面濺射Ag材料形成所述反光層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述藍寶石襯底上表面制作源漏電極，包括：

采用第一物理掩膜版，以Au材料作為靶材，以Ar作為濺射氣體通入濺射腔，在真空度為6×10^-4～1.3×10^-3Pa，濺射功率為20～100W的條件下，在所述藍寶石襯底上表面濺射Au材料形成所述源漏電極。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源漏電極以及未被所述源漏電極覆蓋的所述藍寶石襯底上表面形成電子傳輸層，包括：

以TiO₂材料作為靶材，以Ar和O₂作為濺射氣體通入濺射腔，在真空度為1.3×10^-3～3×10^-3Pa，濺射功率為60～80W的條件下，在包括所述源漏電極的整個襯底的上表面濺射TiO₂材料形成所述電子傳輸層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述電子傳輸層表面形成包括CH₃NH₃PbI₃材料的光吸收層，包括：

利用單一旋涂工藝，將CH₃NH₃PbI₃與PCBM的混合溶液旋涂在所述電子傳輸層表面形成CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料；

利用退火工藝，對所述CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料進行退火處理形成所述光吸收層。