[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611124257.3 | 申請日: | 2016-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN108198954B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 段煉;賓正楊;趙菲;劉嵩 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司;清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 自由基 有機(jī)電致發(fā)光器件 空穴注入材料層 發(fā)光材料層 空穴注入層 發(fā)光材料 顯示裝置 制備 空穴注入材料 空穴注入勢壘 空穴注入效率 電荷轉(zhuǎn)移 電子能力 交替層疊 單電子 界面處 深能級 成對 躍遷 吸收 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括空穴注入層,所述空穴注入層包括空穴注入材料層和自由基發(fā)光材料層,所述空穴注入材料層與所述自由基發(fā)光材料層交替層疊分布,所述空穴注入材料層的材料為空穴注入材料,所述自由基發(fā)光材料層的材料至少包括自由基發(fā)光材料;所述自由基發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)式為:
其中,R1~R22為相同的或不同的取代基,所述取代基可以為鹵素基團(tuán)、甲氧基、 氨基、咔唑基。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述自由基發(fā)光材料層的材料為自由基發(fā)光材料與HATCN的摻雜后的材料。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述自由基發(fā)光材料為:
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴注入材料為HATCN。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,依次層疊的陽極層、所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。
6.一種顯示裝置,其特征在于,采用如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。
7.一種如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括:
形成空穴注入層,所述空穴注入層包括空穴注入材料層和自由基發(fā)光材料層,所述空穴注入材料層與所述自由基發(fā)光材料層交替層疊分布,所述空穴注入材料層的材料為空穴注入材料,所述自由基發(fā)光材料層的材料至少包括自由基發(fā)光材料;所述自由基發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)式為:
其中,R1~R22為相同的或不同的取代基,所述取代基可以為鹵素基團(tuán)、甲氧基、 氨基、咔唑基。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,依次形成陽極層、所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述空穴注入層通過交替蒸鍍自由基發(fā)光材料層和空穴注入材料層形成。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





