[發(fā)明專利]一種采用電火花切割技術(shù)快速切割CdS單晶體的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611124203.7
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN106738393B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高飛;李暉;張弛;徐世海;王磊;王添依;張海磊;張穎武;司華青
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;B24B1/00
• 代理公司: 天津中環(huán)專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 胡京生

1.一種采用電火花切割技術(shù)快速切割CdS單晶體的方法，其特征在于：步驟如下，

第一步，用高溫蠟（3）將CdS晶錠（1）的剝離面（1-1）粘貼在一個總厚度變化小于5 μm的鑄鐵托（2）上，用平面磨床將CdS晶錠（1）的生長面（1-2）磨平；

第二步，用X射線衍射儀對磨平的端面進行定向，根據(jù)晶向偏離（0001）的偏移量進行調(diào)整，對生長面（1-2）再次進行平面磨，直到該端面偏離正晶向的角度小于0.5°；

第三步，將CdS晶錠（1）從鑄鐵托（2）上取下，用高溫蠟（3）將已磨平的生長面（1-2）貼在鑄鐵托（2）上，用平面磨床將晶錠的剝離面（1-1）磨平，然后將鑄鐵托（2）裝卡到滾圓磨床的樣品臺上，先對CdS晶錠（1）進行滾圓，然后進行主參考面（1-3）和副參考面（1-4）制作；

第四步，滾圓和參考面制作完成之后，將CdS晶錠（1）從鑄鐵托（2）上取下，用酒精將CdS晶錠（1）擦洗干凈，然后用真空吸附臺（4-2）將CdS晶錠（1）吸附住，晶錠的主參考面（1-3）朝下，主參考面（1-3）與卡具（4-1）水平面留有一定間隙，可以放下一個石墨條（6），在石墨條（6）上涂覆上一層厚度約為5mm的固體膠（5），將石墨條（6）放到該間隙中，使CdS晶錠（1）主參考面（1-3）與固體膠（5）接觸，固定臺子側(cè)面的螺絲，使石墨條（6）固定，靜置使固體膠（5）凝固，CdS晶錠（1）就粘貼在石墨條（6）上，這樣切割后的晶片會靠膠的作用不會脫離石墨條（6），可以防止切完的晶片掉落，或者發(fā)生傾斜與其他晶片發(fā)生磕碰而出現(xiàn)碎片事故；調(diào)整電火花切割機（4）切割參數(shù)，對晶錠進行切割，脈沖寬度為15-20，脈間倍數(shù)為6-10，功放為4-6，進給速度為0.8-2.8 mm/min；

第五步，切割完成后，依次采用煤油浸泡、熱酒精對切割后的晶片進行沖洗，然后將卡具（4-1）放在溫度為80℃的熱水中，使膠軟化，將晶片取下，進行下一步操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用電火花切割技術(shù)快速切割CdS單晶體的方法，其特征在于：所述真空吸附臺（4-2）為圓狀體，在真空吸附臺（4-2）一端面上，設(shè)有四個固定孔（4-2-1），在四個固定孔（4-2-1）之間的臺面上設(shè)有十字槽（4-2-2），十字槽（4-2-2）交叉中心點為吸附氣孔（4-2-3），沿吸附氣孔（4-2-3）向外的十字槽（4-2-2）上，間隔設(shè)有兩道圓形刻槽（4-2-4），十字槽（4-2-2）與兩道圓形刻槽（4-2-4）相通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用電火花切割技術(shù)快速切割CdS單晶體的方法，其特征在于：所示真空吸附臺（4-2）的材質(zhì)為有機玻璃。