[發(fā)明專利]基于CH3NH3PbI3材料的N型雙向HEMT器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611123708.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN106654011B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈仁需;劉銀濤;汪鈺成;龐體強(qiáng);張玉明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/05
• 分類號(hào): H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長(zhǎng)春

1.一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的N型雙向HEMT器件的制備方法，其特征在于，包括：

選取襯底；

在所述襯底表面形成FTO薄膜；

在所述FTO薄膜表面制備CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收層；

在所述第一光吸收層表面形成第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面形成源電極和漏電極；

在所述源電極、所述漏電極及未被所述源電極和所述漏電極覆蓋的所述第一電子傳輸層表面形成第二電子傳輸層；

在所述第二電子傳輸層表面制備CH₃NH₃PbI₃材料以形成第二光吸收層；

在所述第二光吸收層表面形成柵電極，最終形成所述雙向HEMT器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選取襯底，包括：

選取厚度為200μm-600μm的Al₂O₃材料作為所述襯底；或者

選取厚度為200μm-600μm的Si材料并在所述Si材料表面利用熱氧化工藝形成厚度為1μm的SiO₂材料，以Si材料和SiO₂材料整體作為所述襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底表面形成FTO薄膜，包括：

將鈦酸四丁酯加入至二次蒸餾水中攪拌后獲取沉淀物；

將所述沉淀物加入二次蒸餾水和濃硝酸的混合液中攪拌后涂抹在所述襯底表面以形成所述FTO薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述FTO薄膜表面制備CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收層，包括：

將PbI₂和CH₃NH₃I先后加入DMSO:GBL溶液中并攪拌，靜置后形成CH₃NH₃PbI₃溶液；

利用單一涂抹法將所述CH₃NH₃PbI₃溶液旋涂在所述FTO薄膜表面并通過退火工藝形成所述第一光吸收層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一光吸收層表面形成第一電子傳輸層，包括：

采用TiO₂作為靶材，在氬氣和氧氣的氣氛下，利用磁控濺射工藝，在所述第一光吸收層表面制作TiO₂材料以形成所述第一電子傳輸層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一電子傳輸層表面形成源電極和漏電極，包括：

采用第一金屬材料作為靶材，在氬氣氣氛下，利用磁控濺射工藝，采用第一掩膜版在所述第一電子傳輸層表面形成所述第一金屬材料以作為所述源電極和所述漏電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源電極、所述漏電極及未被所述源電極和所述漏電極覆蓋的所述第一電子傳輸層表面形成第二電子傳輸層，包括：

采用TiO₂作為靶材，在氬氣和氧氣的氣氛下，利用磁控濺射工藝，在所述源電極、所述漏電極及未被所述源電極和所述漏電極覆蓋的所述第一電子傳輸層表面淀積TiO₂材料以形成所述第二電子傳輸層。