[發明專利]半導體結構在審
| 申請號: | 201611123605.5 | 申請日: | 2016-12-08 | 
| 公開(公告)號: | CN107785332A | 公開(公告)日: | 2018-03-09 | 
| 發明(設計)人: | 林柏均 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/12;H01L23/14 | 
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國 | 
| 地址: | 中國臺灣桃園市龜山*** | 國省代碼: | 臺灣;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 結構 | ||
技術領域
本發明是有關于一種半導體結構。
背景技術
隨著電子產業的蓬勃發展,電子產品亦逐漸進入多功能、高性能的研發方向。為滿足半導體元件高積集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求,半導體封裝結構的各項要求亦越來越高,而前所未見的問題亦可能伴隨產生。舉例來說,在半導體封裝結構的線寬和間距(Pitch)越來越小的同時,接點變得容易產生斷路。
為了進一步改善半導體封裝結構的各項特性,相關領域莫不費盡心思開發。如何能提供一種具有較佳特性的半導體封裝結構,實屬當前重要研發課題之一,亦成為當前相關領域亟需改進的目標。
發明內容
本發明的一技術態樣是在提供一種半導體結構,以解決接點容易產生斷路的問題。
根據本發明一實施方式,一種半導體結構包含電子元件與板狀結構。板狀結構包含介電層結構與至少一彈性件。介電層結構具有裝置區與圍繞裝置區的邊緣區,其中電子元件設置在裝置區上,邊緣區具有至少一第一通孔。彈性件設置于第一通孔中。
于本發明的一或多個實施方式中,介電層結構具有相對的第一面與第二面,第一面與第二面裸露彈性件。
于本發明的一或多個實施方式中,彈性件凸出于第一面與第二面的至少其中的一者。
于本發明的一或多個實施方式中,介電層結構具有相對的第一面與第二面,彈性件的厚度大于或等于第一面與第二面之間的最小直線距離。
于本發明的一或多個實施方式中,彈性件的材質為聚酰亞胺(Polyimide,PI)。
于本發明的一或多個實施方式中,彈性件穿過介電層結構。
于本發明的一或多個實施方式中,彈性件相鄰于裝置區。
于本發明的一或多個實施方式中,電子元件在板狀結構上的正投影與彈性件至少部分重疊。
于本發明的一或多個實施方式中,板狀結構的長邊為沿著第一方向,在第一方向上彈性件的中心與電子元件在板狀結構上的正投影的外緣的距離小于5毫米。
于本發明的一或多個實施方式中,板狀結構還包含圖案化導電層,圖案化導電層設置于介電層結構上。
于本發明的一或多個實施方式中,介電層結構還具有至少一第二通孔,板狀結構還包含至少一導電盲孔,導電盲孔設置于第二通孔中且電性連接圖案化導電層。
于本發明的一或多個實施方式中,介電層結構為核心層或中介層。
于本發明的于本發明的一或多個實施方式中,介電層結構包含核心層與至少一增層介電層。
于本發明的一或多個實施方式中,板狀結構為晶片承載件,且電子元件包含晶片。
于本發明的一或多個實施方式中,電子元件還包含多個凸塊,凸塊連接晶片與板狀結構,其中裝置區的外緣由凸塊中設置于最外圍者的設置位置定義。
于本發明的一或多個實施方式中,電子元件還包含晶片粘著層(Die Attachment),晶片粘著層設置于晶片與板狀結構之間,其中裝置區的外緣由晶片在板狀結構上的正投影的外緣定義。
于本發明的一或多個實施方式中,電子元件還包含晶片粘著層,晶片粘著層設置于晶片與板狀結構之間,板狀結構的長邊為沿著第一方向,其中裝置區小于晶片在板狀結構上的正投影,且在第一方向上裝置區的外緣與晶片在板狀結構上的正投影的外緣的距離小于5毫米。
于本發明的一或多個實施方式中,板狀結構為印刷電路板,且電子元件包含晶片承載件與設置于晶片承載件上的晶片。
于本發明的一或多個實施方式中,電子元件還包含連接晶片承載件與板狀結構的多個凸塊,其中裝置區的外緣由凸塊中設置于最外圍者的設置位置定義。
于本發明的一或多個實施方式中,板狀結構為銅箔基板(Copper Clad Laminate)。
因為晶片為設置于裝置區上,因此裝置區將會因為晶片的支持而不會產生嚴重的翹曲。然而,因為沒有其他的支持物,邊緣區的翹曲往往很嚴重。通過設置彈性件于邊緣區中,由裝置區傳遞至邊緣區的應力將會被彈性件吸收,因而減少邊緣區的翹曲程度,或使邊緣區的翹曲消失。因此,凸塊將不會接收到過大的應力,因而得以避免接點容易產生斷路的問題。
附圖說明
圖1繪示依照本發明一實施方式的半導體結構的剖面示意圖;
圖2繪示依照本發明另一實施方式的半導體結構的剖面示意圖;
圖3繪示依照本發明另一實施方式的半導體結構的剖面示意圖;
圖4繪示依照本發明另一實施方式的半導體結構的剖面示意圖;
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