[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和制作半導(dǎo)體裝置的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611122318.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN107039517A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰內(nèi)斯·J·T·M·唐克爾;雷德弗里德勒·阿德里安斯·瑪利亞·胡爾克斯;杰倫·安東·克龍;馬克·安杰伊·加赫達(dá);簡(jiǎn)·雄斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安世有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 麥善勇,張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括位于GaN層上的AlGaN層，用于在所述AlGaN層與所述GaN層之間的界面處形成二維電子氣體；

位于所述基板的主表面上的多個(gè)電接點(diǎn)；以及

位于所述基板的所述主表面上的多個(gè)鈍化層，所述多個(gè)鈍化層包括：第一鈍化層，其包括接觸所述主表面的第一區(qū)域的第一鈍化材料；以及第二鈍化層，其包括接觸所述主表面的第二區(qū)域的第二鈍化材料，其中所述第一和第二鈍化材料為不同鈍化材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一區(qū)域鄰近于所述主表面上的所述電接點(diǎn)中的第一電接點(diǎn)，且其中所述第二區(qū)域不鄰近于所述主表面上的所述電接點(diǎn)中的所述第一電接點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一區(qū)域大體上環(huán)繞所述主表面上的所述電接點(diǎn)中的所述第一電接點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一鈍化層相對(duì)于所述電接點(diǎn)中的所述第一電接點(diǎn)不對(duì)稱地布置，從而包括位于所述第一電接點(diǎn)的一側(cè)上的延伸，其中所述延伸延伸朝向所述裝置的另一電接點(diǎn)。

5.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一區(qū)域包括位于所述裝置的所述電接點(diǎn)中的兩個(gè)電接點(diǎn)之間的一個(gè)或多個(gè)島狀物。

6.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述不同鈍化材料包括氮化硅的組合物，所述組合物包括不同比例的硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述鈍化材料中的一個(gè)鈍化材料包括化學(xué)計(jì)量氮化硅，且其中所述鈍化材料中的另一鈍化材料包括比化學(xué)計(jì)量氮化硅更富含硅的氮化硅的組合物。

8.一種制作半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，所述基板包括位于GaN層上的AlGaN層，用于在所述AlGaN層與所述GaN層之間的界面處形成二維電子氣體；

形成位于所述基板的主表面上的多個(gè)電接點(diǎn)；以及

形成位于所述基板的所述主表面上的多個(gè)鈍化層，所述多個(gè)鈍化層包括：第一鈍化層，其包括接觸所述主表面的第一區(qū)域的第一鈍化材料；以及第二鈍化層，其包括接觸所述主表面的第二區(qū)域的第二鈍化材料，其中所述第一和第二鈍化材料為不同鈍化材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述不同鈍化材料包括氮化硅的組合物，所述組合物包括不同比例的硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述鈍化材料中的一個(gè)鈍化材料包括化學(xué)計(jì)量氮化硅，且其中所述鈍化材料中的另一鈍化材料包括比化學(xué)計(jì)量氮化硅更富含硅的氮化硅的組合物。