[發(fā)明專利]一種基于VGF法的InP晶體生長(zhǎng)爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611122124.2 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106521615B | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊翠柏;方聰;陳丙振 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B11/00 | 分類號(hào)： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 519085 廣東省珠海市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 vgf inp 晶體生長(zhǎng) | ||
【權(quán)利要求書】：
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