[發(fā)明專利]一種ITO基透明導(dǎo)電薄膜近紅外波段透射增強(qiáng)的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611121607.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106548929B | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪瑞金;魏文左;蒙燕;陶春先;張大偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根 |
| 地址: | 200093 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ito 透明 導(dǎo)電 薄膜 紅外 波段 透射 增強(qiáng) 制備 方法 | ||
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
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