[發明專利]一種嵌入式埋容材料及其制備方法在審
| 申請號: | 201611120327.8 | 申請日: | 2016-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN108178925A | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發明(設計)人: | 張瑩瑩;楊殿來;許壯志;時卓;趙輝 | 申請(專利權)人: | 遼寧法庫陶瓷工程技術研究中心 |
| 主分類號: | C08L79/08 | 分類號: | C08L79/08;C08K3/24;C08K3/22;C08G73/10;C08J5/18;C08J7/06 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
| 地址: | 110000 遼寧省沈*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 埋容材料 嵌入式 制備 電學性能 膜片 無機粉體材料 介電常數 流延膜片 絲網印刷 梯度升溫 溫度制度 雜化材料 導電層 固含量 流延法 亞胺化 烘干 | ||
1.一種嵌入式埋容材料,其特征在于:包括無機納米粉體、聚酰亞胺合成原料、導電電極;
所述無機納米粉體的含量為0-40%,平均粒徑為30-150nm;
所述聚酰亞胺合成原料包括3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、4,4’-二氨基二苯醚,溶劑為N-甲基吡咯烷酮,分散劑采用進口BYK-W9010;
所述導電電極為金屬導電漿料。
2.根據權利要求1所述的一種嵌入式埋容材料,其特征在于:所述無機納米粉體為無機非金屬納米材料。
3.根據權利要求1所述的一種嵌入式埋容材料,其特征在于:所述金屬導電漿料為銀漿或銅漿。
4.根據權利要求1-3其中任意一項所述的一種嵌入式埋容材料,其特征在于:所述無機納米粉體為BaTiO3納米粉體、Al2O3納米粉體、TiO2納米粉體、SiO2納米粉體、Ba1-xSrxTiO3納米粉體、Ba(ZrxTi1-x)O3納米粉體。
5.一種嵌入式埋容材料的制備方法,其特征在于:首先采用3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、4,4’-二氨基二苯醚,溶劑為N-甲基吡咯烷酮,分散劑采用進口BYK-W9010、無機納米粉體為原料;
步驟一:制備聚酰胺酸溶液,首先將4,4’-二氨基二苯醚放入N-甲基吡咯烷酮中磁力攪拌直至完全溶解,獲得二元胺;然后將3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐放入N-甲基吡咯烷酮中磁力攪拌直至完全溶解,獲得二元酐;最后將上述二元胺與二酐倒入反應釜中,室溫下N2條件下反應24-48小時,獲得聚酰胺酸溶液;
步驟二:將無機納米粉體放入BYK-W9010進行高能球磨0.5-2小時,轉數在2500轉/min;
步驟三:將步驟二制得的混合料液緩慢倒入步驟一中制得的聚酰胺酸溶液中,進行磁力攪拌1-3小時,然后超聲波15-30min,再進行真空除泡10-15min,得到聚酰胺酸納米粉體混合溶液;
步驟四:采用流延法方式進行流延膜片的制備,采用梯度升溫溫度制度進行膜片的亞胺化,然后在干燥后的膜片上進行絲網印刷導電層銀漿,并低溫下進行烘干工藝,最終制得嵌入式埋容材料。
6.根據權利要求4所述的一種嵌入式埋容材料的制備方法,其特征在于:所述無機納米粉體為BaTiO3納米粉體,其中BaTiO3納米粉體為90g,BYK-W9010為200ml。
7.根據權利要求4所述的一種嵌入式埋容材料的制備方法,其特征在于:所述無機納米粉體為Al2O3納米粉體,其中Al2O3納米粉體為80g,BYK-W9010為200ml。
8.根據權利要求4所述的一種嵌入式埋容材料的制備方法,其特征在于:所述無機納米粉體為BaTiO3納米粉體,其中BaTiO3納米粉體為365g,BYK-W9010為730ml。
9.根據權利要求5-8其中任意一項所述的一種嵌入式埋容材料的制備方法,其特征在于:在步驟一中4,4’-二氨基二苯醚為350g,3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐為550g,N-甲基吡咯烷酮為2400ml。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于遼寧法庫陶瓷工程技術研究中心,未經遼寧法庫陶瓷工程技術研究中心許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611120327.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型豬舍聚合材料
- 下一篇:聚亞芳基硫醚樹脂及其制備方法





