[發明專利]異質接面太陽能電池及其制造方法

在審

• 申請號: 201611119537.5
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN108198871A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 黃玉君;吳春森;翁敏航;葉昌鑫;田偉辰
• 申請（專利權）人: 財團法人金屬工業研究發展中心
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/074;H01L31/18
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 王中

1.一種異質接面太陽能電池，其特征在于，包含：

一半導體基板，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面；

一第一本質非晶硅層，配置于該第一表面上；

一P型非晶硅層，配置于該第一本質非晶硅層上；

一第二本質非晶硅層，配置于該第二表面上；

一N型非晶硅層，配置于該第二本質非晶硅層上；

一第一透明導電層，配置于該P型非晶硅層上；

一第二透明導電層，配置于該N型非晶硅層上；

多個電極線，配置于該第一透明導電層上；以及

一電極層，配置于該第二透明導電層上。

2.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該第一表面與該第二表面皆具有多個四角錐結構。

3.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該第一透明導電層與該第二透明導電層的材質選自于由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鎘、氧化鉻銅、氧化鍶銅、氧化銅鋁、鎂銦氧化物、鎘錫氧化物、錫銻氧化物、錫鎵氧化物、鎵鋅氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、摻雜鋁的氧化鋅、摻雜硼的氧化鋅以及摻雜氟的氧化錫所組成的群組。

4.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該P型非晶硅層的厚度介于10nm至15nm。

5.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該P型非晶硅層的能隙大于或等于1.5eV且小于或等于1.8eV。

6.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該N型非晶硅層的厚度大于或等于5nm且小于或等于10nm。

7.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該第一透明導電層與該第二透明導電層的厚度皆大于或等于80nm且小于或等于100nm。

8.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該第一本質非晶硅層與該第二本質非晶硅層的厚度皆小于或等于10nm，且能隙大于或等于1.5eV且小于或等于1.8eV。

9.根據權利要求1的異質接面太陽能電池，其特征在于，該電極層完全覆蓋該第二透明導電層。