[發明專利]ESD防護結構的制作方法在審
| 申請號： | 201611118068.5 | 申請日： | 2016-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN108172566A | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發明（設計）人： | 馬萬里 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;劉芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漏極區域 漏極區 源極區域 靜電泄放 柵極接地 短接 源極 制作 | ||
1.一種ESD防護結構的制作方法，其特征在于，包括：
在柵極接地的MOS管的漏極區域設置N+區和P+區；
所述漏極區域的N+區和所述漏極區域的P+區短接；
在所述MOS管的源極區域設置N+區；
所述源極區域的N+區設置在所述MOS管的P阱區內，所述P阱區設置在所述源極區域內；
所述漏極區域的N+區和所述漏極區域的P+區設置在所述MOS管的N阱區內，所述N阱區設置在所述漏極區域內；
所述MOS管的柵極和源極短接。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極區域的N+區、所述P阱區和所述N阱區構成NPN晶體管。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏極區域的P+區、所述N阱區和所述P阱區構成PNP晶體管。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極區域的N+區、所述P阱區、所述N阱區和所述漏極區域的P+區構成NPNP的SCR結構。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述漏極區域的N+區接收到靜電時，所述漏極區域的P+區和所述N阱區之間產生電壓差，所述漏極區域的P+區和所述N阱區之間的PN結發生導通。
6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述漏極區域的N+區接收到靜電時，所述P阱區和所述N阱區之間的PN結發生擊穿。
7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當所述漏極區域的N+區接收到靜電時，所述NPN晶體管導通。
8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，當所述漏極區域的N+區接收到靜電時，所述PNP晶體管導通。
9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，當所述漏極區域的N+區接收到靜電時，所述NPNP的SCR結構導通。
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