[發明專利]一種新型硅晶太陽能電池

在審

• 申請號: 201611117403.X
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN108172635A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 陸正諭;陳輝;藍天榮
• 申請（專利權）人: 廣西大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/042
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;陳歡

本發明屬于太陽能技術領域，具體涉及一種新型硅晶太陽能電池。該新型硅晶太陽能電池，包括置于太陽電池硅基片背面的鈍化介質膜，置于鈍化介質膜上的背銀電極和背鋁電極，所述背銀電極內部設有鏤空區域，所述背鋁電極與背銀電極形成互補，所述背銀電極與鈍化介質膜的開膜區域不重疊或部分重疊，適用于背面鈍化點接觸或線接觸晶體硅太陽電池。該背電極結構大大提高電池的背面鈍化效果，開路電壓以及短路電流等電學性能均得到有效改善；此外，該背電極結構制備成本低，能方便地與常規工業生產線相匹配，易于實現大批量的工業化生產。

技術領域

本發明屬于太陽能技術領域，具體涉及一種新型硅晶太陽能電池。

背景技術

近幾年來，晶體硅太陽電池市場需求不斷擴大，對太陽電池轉換效率也要求越來越高。背面鈍化局域接觸太陽電池結構能有效地降低晶體硅太陽電池背表面的復合速率，提高開路電壓與短路電流，是實現高效轉換太陽電池的方法之一。

現有技術中，背面鈍化局域接觸太陽電池采用介質膜鈍化電池背表面，通過激光等方法對介質膜進行局域開膜，然后通過絲網印刷方法印刷背銀電極與背鋁電極。電池燒結后，在開膜區域背鋁電極將與硅襯底反應形成p+局域背表面場，此局域背表面場接觸有助于降低電池的串聯電阻、提高電池鈍化效果，降低光生載流子復合速率。然而，在傳統的背面鈍化局域接觸太陽電池結構中，背面銀電極往往也會覆蓋部分介質膜所在的開膜區域，這樣，在這些區域中并不能形成局域背表面場，以致會影響整個電池開路電壓以及短路電流等電學性能。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種新型硅晶太陽能電池，該新型硅晶太陽能電池背電極結構大大提高電池的背面鈍化效果，開路電壓以及短路電流等電學性能均得到有效改善；此外，該背電極結構制備成本低，能方便地與常規工業生產線相匹配，易于實現大批量的工業化生產。

為了實現上述技術目的，本發明是按以下技術方案實現的：

本發明所述的一種新型硅晶太陽能電池，包括置于太陽電池硅基片背面的鈍化介質膜，置于鈍化介質膜上的背銀電極和背鋁電極，所述背銀電極內部設有鏤空區域，所述背鋁電極與背銀電極形成互補，所述背銀電極與鈍化介質膜的開膜區域不重疊，適用于背面鈍化點接觸或線接觸晶體硅太陽電池。所述背銀電極與鈍化介質膜的開膜區域不重疊，適用于背面鈍化點接觸或線接觸晶體硅太陽電池。

作為上述技術的進一步改進，所述背銀電極具有一個或多個重復排列鏤空區域，其鏤空區域的形狀為圓形或多邊形或上述形狀的組合。

具體來說，所述背銀電極的數量為2至5條，所述背銀電極的寬度范圍為1至5毫米，長度范圍為120至156毫米。

在本發明中，所述背銀電極與鈍化膜的開膜區域之間的關系有以下三種結構形式：

第一種，所述鈍化介質膜的開膜區域為對應于背銀電極鏤空區域底部的線性開膜區域，所述背銀電極與所述鈍化介質膜的線性開膜區域的圖案方向垂直，此時，所述背銀電極鏤空圖案為長方形，所述鏤空圖案寬度范圍為0.1毫米至1毫米，長度為0.5至5毫米。

第二種，所述鈍化介質膜的開膜區域為對應于背銀電極鏤空區域底部的線性開膜區域，所述背銀電極與所述鈍化介質膜的線性開膜區域圖案方向平行，此時，所述背銀電極鏤空圖案為長方形，所述鏤空圖案寬度范圍為0.1毫米至1毫米，長度為120至156毫米。

第三種，所述鈍化介質膜的開膜區域為對應于背銀電極鏤空區域底部的點接觸開膜區域，所述背銀電極鏤空圖案為圓形、多邊形或上述形狀的組合。

在本發明中，所述背銀電極在對應于鈍化介質膜的開膜區域的覆蓋率為大于0小于等于30％。

本發明還公開了上述背面鈍化晶體硅太陽電池的背電極的所用網版，具體包括背鋁電極網版和背銀電極網版，其結構均包括網版本體，所述網版本體上設置有用于構成圖形所形成所述背銀電極與背鋁電極的使漿料通過的網孔的圖案。