[發明專利]一種減少晶圓離子損傷方法及離子發生器

在審

• 申請號: 201611116738.X
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN106783539A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 龍俊舟;封鐵柱;楊弘;馬山州
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01J37/34
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種減少晶圓離子損傷方法，應用于射頻濺射的離子發生器，所述離子發生器包括一用于射頻輻射的線圈，其特征在于：

將所述線圈的兩端接地；

所述線圈提供一饋入點，所述饋入點設置于所述線圈的兩端之間；

提供一射頻電源，連接所述饋入點；

所述離子發生器的線圈于接通所述射頻電源后，使生成的離子均勻的轟擊所述晶圓的表面，以去除所述晶圓表面的氧化物。

2.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述離子為帶正電荷的惰性氣體離子。

3.根據權利要求2所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述帶正電荷的惰性氣體離子為氬離子。

4.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述射頻電源為交流電源。

5.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述離子發生器發射的離子通過射頻濺射的方式去除所述晶圓表面的氧化物。

6.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述線圈通過抽頭連接所述射頻電源。

7.一種離子發生器，包括一射頻輻射的線圈，其特征在于，包括：

所述線圈的兩端接地；

所述線圈的兩端之間設置有一饋入點；

射頻電源線連接所述饋入點；

所述離子發生器用以在所述線圈接通所述射頻電源后，將生成的離子均勻的轟擊所述晶圓表面，以去除所述晶圓表面的氧化物。

8.根據權利要求7所述的離子發生器，其特征在于，所述離子為帶正電荷的惰性氣體離子。

9.根據權利要求7所述的離子發生器，其特征在于，所述射頻電源為交流電源。

10.根據權利要求7所述的離子發生器，其特征在于，所述離子發生器發射的離子通過射頻濺射的方式去除所述晶圓表面的氧化物。