[發明專利]一種芯片封裝結構及其制備方法有效
| 申請號: | 201611116597.1 | 申請日: | 2016-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN106783796B | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發明(設計)人: | 郭學平;郝虎;于中堯 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新區太湖國*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 封裝 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種芯片封裝結構,其特征在于,包括:
第一芯片,所述第一芯片的有源面設置有粘結層,所述粘結層對應所述第一芯片的焊盤設置有粘結層盲孔,所述第一芯片非有源面的其他側面有包覆材料包封;
介質層,設置在所述粘結層上方,所述介質層上設置有與所述粘結層盲孔對應設置的介質層盲孔,所述粘結層盲孔和所述介質層盲孔中填充有導電材料;
第一重布線層,與所述粘結層盲孔和所述介質層盲孔中填充的導電材料電連接;
焊球,與所述第一重布線層電連接;
至少一個通孔,所述通孔位于所述第一芯片兩端的包覆材料和介質層中,所述通孔貫穿所述包覆材料和所述介質層,所述通孔內表面設置有導電材料。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構,其特征在于,還包括:
第一絕緣層,位于所述第一重布線層上遠離所述介質層的一側,所述第一絕緣層上形成有第一開口,所述焊球通過所述第一開口與所述第一重布線層電連接。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述介質層和所述包覆材料的材料為ABF、FR-4、BT樹脂或者聚丙烯。
4.根據權利要求1-3任一項所述的芯片封裝結構,其特征在于,還包括:
至少一個第二芯片封裝層,位于所述包覆材料遠離所述第一芯片的一側,所述第二芯片封裝層包括第二芯片和第二重布線層,所述第二芯片和所述第二重布線層電連接,所述第二重布線層和所述第一重布線層電連接。
5.根據權利要求4所述的芯片封裝結構,其特征在于,還包括:
所述第一重布線層和所述第二重布線層通過所述通孔內表面設置的導電材料電連接。
6.根據權利要求4所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述第二芯片封裝層還包括:
第二絕緣層,位于所述第二芯片與所述第二重布線層之間,所述第二絕緣層上形成有第二開口,所述第二芯片和所述第二重布線層通過所述第二開口電連接。
7.根據權利要求6所述的芯片封裝結構,其特征在于,包括:
第一絕緣層,位于所述第一重布線層上遠離所述介質層的一側,所述第一絕緣層上形成有第一開口,所述焊球通過所述第一開口與所述第一重布線層電連接;
所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材料為阻焊綠油或者有機材料。
8.一種芯片封裝結構的制備方法,其特征在于,包括:
提供一載板,分別在所述載板的上下表面制備雙層剝離結構,所述雙層剝離結構包括上層結構和下層結構;
分別在所述雙層剝離結構上遠離所述載板的一側制備介質層,所述介質層覆蓋所述雙層剝離結構;
在所述介質層預設位置處制備至少一個介質層盲孔,所述介質層盲孔貫穿所述介質層;
在所述介質層盲孔內填充導電材料;
提供第一芯片,所述第一芯片包括有源面以及位于所述有源面上的至少一個焊盤,所述第一芯片的有源面設置有粘結層,將所述第一芯片通過所述粘結層倒裝在所述介質層上,所述焊盤與所述介質層盲孔對應;
在所述第一芯片非有源面的其他側面制備包覆材料,所述包覆材料包封所述第一芯片;
將所述雙層剝離結構的上層結構和下層結構進行剝離,得到兩個芯片封裝結構,所述上層結構位于所述芯片封裝結構上,所述下層結構位于所述載板上;
刻蝕所述上層結構以及所述介質層盲孔內的導電材料,露出所述介質層和所述粘結層;
刻蝕所述粘結層,形成至少一個粘結層盲孔,所述粘結層盲孔貫穿所述粘結層;
在所述介質層盲孔和所述粘結層盲孔內填充導電材料,并在所述介質層上遠離所述第一芯片的一側制備第一重布線層,所述第一重布線層與所述介質層盲孔對應設置;
在所述第一重布線層上遠離所述介質層的一側制備焊球,所述焊球與所述第一重布線層電連接。
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