[發明專利]一種封裝結構的解剖、重現的系統和方法在審
| 申請號: | 201611116127.5 | 申請日: | 2016-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN106599433A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 趙鶴然;張斌;馬艷艷 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十七研究所 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司21002 | 代理人: | 王倩 |
| 地址: | 110032 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 結構 解剖 重現 系統 方法 | ||
1.一種封裝結構的解剖、重現的系統,其特征在于包括緊固單元、切割單元、清洗單元、化學成分探測單元、傳動單元、結構形貌探測單元和計算機;
緊固單元用于固定電子元件封裝結構;
傳動單元與緊固單元連接,用于根據計算機指令移動緊固單元位于切割單元、清洗單元、化學成分探測單元或結構形貌探測單元的下方;
切割單元,用于對電子元件封裝結構進行切割;
清洗單元,用于對切割后的電子元件封裝結構切面進行清洗;
結構形貌探測單元,用于對切面掃描得到切面的二維圖像并發送至計算機;
化學成分探測單元,用于對切面掃描得到切面中某些點的化學元素成分發送至計算機;
計算機,用于根據二維圖像得到該切面的二維幾何模型,進而通過拉伸和堆疊形成電子元件封裝結構的三維幾何模型;再根據各切面中某些點的化學元素成分形成電子元件封裝結構的三維模型。
2.根據權利要求1所述的一種封裝結構的解剖、重現的系統,其特征在于所述切割單元采用激光切割機、濕法腐蝕機或干法研磨機中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種封裝結構的解剖、重現的系統,其特征在于所述清洗單元采用等離子清洗機、氣象清洗機或有機溶劑清洗機中的一種。
4.根據權利要求1所述的一種封裝結構的解剖、重現的系統,其特征在于所述結構形貌探測單元為X射線發生儀、光學顯微鏡或超聲掃描儀中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種封裝結構的解剖、重現的系統,其特征在于所述化學成分探測單元為掃描電鏡。
6.一種封裝結構的解剖、重現的方法,其特征在于包括以下步驟:
1)計算機控制傳動單元傳動緊固單元位于切割單元下方;切割單元對電子元件封裝結構從該結構的某表面進行切割;
2)計算機控制傳動單元傳動清洗單元位于切割單元下方;清洗單元對切割后的電子元件封裝結構切面進行清洗;
3)計算機控制傳動單元傳動結構形貌探測單元位于切割單元下方;結構形貌探測單元對該面掃描得到切面的二維圖像并發送至計算機;
4)計算機控制傳動單元傳動化學成分探測單元位于切割單元下方;化學成分探測單元掃描該切面得到切面中某些點的化學元素成分發送至計算機;
5)計算機根據二維圖像得到該切面的二維幾何模型;重復步驟1)-4),得到多個切面的二維幾何模型;通過拉伸和堆疊形成電子元件封裝結構的三維幾何模型;再根據各切面中某些點的化學元素成分形成電子元件封裝結構的三維模型。
7.根據權利要求6所述的一種封裝結構的解剖、重現的方法,其特征在于所述計算機根據二維圖像得到該切面的二維幾何模型包括以下步驟:
計算機對采集到的二維圖像提取圖像中的線條,并將線條中各點坐標輸入到CAE中,形成該切面的二維幾何模型。
8.根據權利要求6所述的一種封裝結構的解剖、重現的方法,其特征在于所述通過拉伸和堆疊形成電子元件封裝結構的三維幾何模型包括以下步驟:
根據某切面的二維幾何模型所在切面與下一個二維幾何模型所在切面之間的距離作為拉伸高度,將該切面的二維幾何模型拉伸形成對應的三維幾何模型;
將所有切面的二維幾何模型對應的三維幾何模型依次堆疊,形成電子元件封裝結構的三維幾何模型。
9.根據權利要求6所述的一種封裝結構的解剖、重現的方法,其特征在于所述根據各切面中某些點的化學元素成分形成電子元件封裝結構的三維模型包括以下步驟:
根據各切面中某些點的化學元素成分、調用CAE中與化學元素成分相同的材料屬性信息;根據各切面中這些點的坐標、將材料屬性信息附加給三維幾何模型;然后將相鄰且具有相同材料屬性信息的三維幾何模型合并成一體,最終形成電子元件封裝結構的三維模型。
10.根據權利要求6所述的一種封裝結構的解剖、重現的方法,其特征在于步驟1)之前預先將電子元件封裝結構進行灌封。
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