[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611115520.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN106952967B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑澤和伸;佐久間盛敬;新田博明;関澤充生;遠(yuǎn)藤剛廣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/92
• 分類號(hào): H01L29/92;H01L29/94;H01L27/06;H01L29/06
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

半導(dǎo)體層；

第一導(dǎo)電型的第一阱，其被配置在所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域內(nèi)；

第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其被配置在所述第一阱中；

第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其被配置在所述半導(dǎo)體層的第二區(qū)域內(nèi)；

絕緣膜，其被配置在所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上；

電極，其被配置在所述絕緣膜上；

第二導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其被配置在至少所述第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)上，

將所述第一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)設(shè)為陰極或陽(yáng)極區(qū)的一部分，并且將所述第三雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)設(shè)為陽(yáng)極或陰極區(qū)，從而構(gòu)成垂直型的齊納二極管，將所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)設(shè)為第一電極，并且將被配置在所述絕緣膜上的所述電極設(shè)為第二電極，從而構(gòu)成電容器。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備在所述半導(dǎo)體層中以包圍所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的方式而被配置的至少一個(gè)阱。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

作為所述至少一個(gè)阱而具備包圍所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的第二導(dǎo)電型的第二阱。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

作為所述至少一個(gè)阱而具備包圍所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的第一導(dǎo)電型的第三阱。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

作為所述至少一個(gè)阱而具備包圍所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的第二導(dǎo)電型的第二阱、和包圍所述第二阱的第一導(dǎo)電型的第三阱。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還具備：

第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，其上配置有所述半導(dǎo)體層；

第一導(dǎo)電型的第一埋入擴(kuò)散層，其被配置在所述半導(dǎo)體基板中；

第一導(dǎo)電型的第四雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其被配置在所述半導(dǎo)體層中，并且在所述第一埋入擴(kuò)散層上于俯視觀察時(shí)包圍所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域。

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還具備：

第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，其上配置有所述半導(dǎo)體層；

第一導(dǎo)電型的第一埋入擴(kuò)散層，其被配置在所述半導(dǎo)體基板中；

第一導(dǎo)電型的第四雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其被配置在所述半導(dǎo)體層中，并且在所述第一埋入擴(kuò)散層上于俯視觀察時(shí)包圍所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還具備：

第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，其上配置有所述半導(dǎo)體層；

第一導(dǎo)電型的第二埋入擴(kuò)散層，其被配置在所述半導(dǎo)體基板中；

第一導(dǎo)電型的第四阱，其被配置在所述半導(dǎo)體層的第二區(qū)域內(nèi)，

所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)被配置在所述第四阱上。

9.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還具備：

第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板，其上配置有所述半導(dǎo)體層；

第一導(dǎo)電型的第二埋入擴(kuò)散層，其被配置在所述半導(dǎo)體基板中；

第一導(dǎo)電型的第四阱，其被配置在所述半導(dǎo)體層的第二區(qū)域內(nèi)，

所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)被配置在所述第四阱上。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還具備：

第一導(dǎo)電型的第二埋入擴(kuò)散層，其被配置在所述半導(dǎo)體基板中；

第一導(dǎo)電型的第四阱，其被配置在所述半導(dǎo)體層的第二區(qū)域內(nèi)，

所述第二雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)被配置在所述第四阱上。