[發明專利]一種晶體硅太陽能電池用缺陷鉆孔用工具、裝置及鉆孔方法在審
| 申請號: | 201611115192.6 | 申請日: | 2016-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN106601869A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 文國棟 | 申請(專利權)人: | 成都聚智工業設計有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
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| 地址: | 610000 四川省成都市錦江*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 缺陷 鉆孔 用工 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及缺陷鉆孔用工具,尤其涉及被設置于加工裝置的頭部的夾頭保持并進行旋轉,用于對在晶體硅太陽能電池上產生的局部缺陷進行絕緣分離的缺陷鉆孔用工具。
背景技術
隨著能源危機的加重,太陽能作為無污染、取之不盡、用之不竭的綠色能源,已得到了廣泛的應用;在使用過程中,太陽能電池片需要通過連接模塊才能實現與用電器件的相連;晶體硅太陽能電池有許多方法制造,在通常制造方法中,在玻璃等基板上形成由Mo(鉬)膜構成的下部電極膜,之后,下部電極膜被分割為長條狀。接著,在下部電極膜上形成包含銅銦鎵硒膜等黃銅礦結構化合物半導體膜的化合物半導體膜。接著,還將這些半導體膜的一部分呈長條狀去除并分割為長條狀,并且形成上部電極膜,使得覆蓋這些半導體膜。并且最后,上部電極膜的一部分呈長條狀被剝離并被分割為長條狀。在這種晶體硅太陽能電池的制造過程中,由于會在薄膜形成時混入顆粒、或者產生針孔,由此有時會產生上部電極和下部電極短路等局部缺陷。因此,為了鉆孔這種晶體硅太陽能電池的局部缺陷,提出了通過激光從其他部分對缺陷部分進行絕緣分離的方法。 目前采用通過激光鉆孔晶體硅太陽能電池的局部缺陷的情況下,有時會在激光加工部殘留熔融殘渣。該熔融殘渣有時會成為使上部電極和下部電極短路的原因,可能會產生新的缺陷。
因此,考慮用由金剛石等硬質材料形成的加工工具去除局部缺陷部分。但是,在使用這種以往的加工工具剝離薄膜時,在比較廣的區域范圍內剝離膜。并且,作為襯底的Mo膜會在剝離薄膜后的部分露出。于是,在從外觀觀察晶體硅太陽能電池的情況下,Mo膜的露出部分反射光而發亮,從而損害功能。
發明內容
本發明的目的在于克服上述不足,不損壞功能鉆孔晶體硅太陽能電池的局部缺陷。
本發明的目的是這樣實現的:一種晶體硅太陽能電池的缺陷鉆孔用工具,其被設置于加工裝置的頭部的夾頭保持并進行旋轉,用于對晶體硅太陽能電池上產生的局部缺陷進行絕緣分離,其中,該缺陷鉆孔用工具具有:柄部,其形成在一端側,被所述夾頭保持;以及刃尖部,其形成在另一端側,在前端具有加工用的刃,所述刃尖部的刃以預定寬度形成在離開旋轉中心的位置處,所述缺陷修復用工具旋轉,環狀地剝離所述局部缺陷周圍的材料。
進一步地,所述刃尖部的刃與旋轉中心線正交,所述刃尖部的前端的刃以外的部分傾斜,使得隨著遠離所述刃而接近所述柄部側。
進一步地,所述刃尖部的刃的寬度為0.1mm以下。
進一步地,工作臺,其載置作為缺陷鉆孔對象的晶體硅太陽能電池;頭,其具有權利要求1至3中的任意一項所述的缺陷鉆孔用工具,該頭能夠在上下方向上移動,并且對所述缺陷鉆孔用工具進行旋轉驅動;以及移動機構,其用于使所述工作臺和所述頭在水平面內相對移動。
進一步地,所述頭具有:夾頭,其保持所述缺陷鉆孔用工具;電動機,其用于使所述夾頭旋轉;接頭,其將所述夾頭和所述電動機的旋轉軸相互連接成在上下方向移動自如且不能旋轉;以及按壓機構,其用于以預定的負荷壓力將所述缺陷鉆孔用工具按壓至所述晶體硅太陽能電池的表面。
進一步地,所述頭還具有:保持架,其將所述夾頭支撐為旋轉自如;以及施力部件,其對所述夾頭和所述保持架朝上方施力,用于抵消所述夾頭和所述保持架的自重。
附圖說明
為了使本發明的上述和其它目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,提供附圖,其中:圖1是采用了本發明的一個實施方式的缺陷鉆孔用裝置的外觀立體圖。
圖2是所述裝置的鉆孔部件的側視圖。
圖3是本發明的一個實施方式的缺陷鉆孔用工具的主視圖、側視圖和仰視圖。
圖4是圖3的A部放大圖。
具體實施方式
圖1示出采用了本發明的一個實施方式的集成型晶體硅太陽能電池的缺陷鉆孔用裝置的外觀立體圖。
該裝置具有載置有太陽能電池基板W的工作臺1、和分別具有缺陷鉆孔用工具2的多個鉆孔部件3,該裝置還分別具有兩個攝像機4和監視器5。
工作臺1在水平面內能夠在圖1的Y方向上移動。此外,工作臺1在水平面內能夠旋轉為任意的角度。另外,在圖1中示出鉆孔部件3的概略外觀(3個頭中的兩個省略了前端部分),與實際形狀不同。鉆孔部件3的具體情況將后述。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





