[發(fā)明專利]一種熱膨脹系數(shù)連續(xù)可調(diào)的NZP族陶瓷的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611115085.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108164262A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡金玲;楊殿來;岳鑫;許壯志;劉磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 遼寧法庫陶瓷工程技術(shù)研究中心 |
| 主分類號(hào): | C04B35/447 | 分類號(hào): | C04B35/447;C01G25/00;C01G27/00 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
| 地址: | 110000 遼寧省沈*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱膨脹系數(shù) 連續(xù)可調(diào) 制備 離子 化學(xué)共沉淀法 精細(xì)陶瓷材料 陶瓷材料制備 沉淀劑溶液 耐熱沖擊性 陶瓷粉體制 高溫?zé)Y(jié) 可加工性 離子取代 離子位置 粒度分布 燒結(jié)活性 燒結(jié)助劑 陶瓷材料 陶瓷產(chǎn)品 陶瓷粉體 研磨 陶瓷體 鹽溶液 陽離子 滴加 粉體 烘干 煅燒 沉淀 清洗 陶瓷 | ||
本發(fā)明涉及具有熱膨脹系數(shù)連續(xù)可調(diào)的NZP族陶瓷材料制備方法,屬精細(xì)陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以MⅠMⅡ3Zr2(PO4)3為基體,采用一定量的Ca2+和Sr2+離子分別取代MI、MⅡ位置,用Hf4+離子取代少量的Zr4+離子位置,制備出CaxSr1?x(HfyZr1?y)4P6O24(0≤x≤1,0≤y≤1)陶瓷材料。本發(fā)明的陶瓷粉體制備工藝采用化學(xué)共沉淀法,即把含Ca2+、Sr2+、Zr4+、Hf4+陽離子離子的鹽溶液滴加到(NH4)2HPO4的沉淀劑溶液中,在反應(yīng)過程中控制溶液濃度及PH值,經(jīng)沉淀、清洗、烘干、煅燒、研磨后可以得到粒度分布均勻、燒結(jié)活性好的NZP族陶瓷粉體。粉體經(jīng)添加適量ZnO、MgO、SiO2、Ta2O5或Nb2O5為燒結(jié)助劑,經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后可以獲得熱膨脹系數(shù)連續(xù)可調(diào)的陶瓷體材料。本發(fā)明的陶瓷產(chǎn)品具有熱膨脹系數(shù)連續(xù)可調(diào)、抗壓強(qiáng)度高、耐熱沖擊性好、可加工性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種共沉淀工藝制備NZP族陶瓷的方法,屬于精細(xì)陶瓷技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
NZP族磷酸鹽陶瓷材料是指與NaZr2P3O12具有相同晶體結(jié)構(gòu)、但化學(xué)組分可調(diào)的的一類陶瓷材料,因其具有典型的負(fù)膨脹至零的膨脹性能而受到廣泛關(guān)注。NZP的一般分子式可以表示為MⅠMⅡ3Zr2(PO4)3,其中MⅠ、MⅡ、Zr、P等位置均可被其他多種陽離子所取代,所衍生出的一系列化合物統(tǒng)稱為NZP族化合物,由這些化合物制成的陶瓷材料稱為NZP族陶瓷。
NZP族陶瓷化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,不被強(qiáng)酸強(qiáng)堿腐蝕,極難氧化,即使在高溫條件下也難與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。并且,NZP族陶瓷通過MⅠ、MⅡ、Zr、P等位置不同離子取代及化學(xué)組分不同,可獲得熱膨脹系數(shù)從負(fù)值到正值連續(xù)可調(diào)的多元NZP陶瓷材料。
目前報(bào)導(dǎo)的NZP粉體制備普遍采用溶膠-凝膠法,另有少部分是固相反應(yīng)法和水熱合成法。固相反應(yīng)法雖簡單易行,但合成粉料的溫度高,時(shí)間長,往往難以得到單一相的粉體,且制成的粉體粒徑粗,燒結(jié)活性小,不易致密化。水熱法和溶膠-凝膠法雖可在較低溫度下合成單相NZP粉體,粉體的粒度分布均勻,燒結(jié)活性高,但設(shè)備要求高,合成周期長,產(chǎn)率低,不利于批量生產(chǎn),限制了這兩種方法的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)現(xiàn)狀,本發(fā)明采用一定量的Ca2+和Sr2+離子分別取代MI、MⅡ位置,用Hf4+離子取代少量的Zr4+離子位置,制備出CaxSr1-x(HfyZr1-y)4P6O24(0≤x≤1,0≤y≤1)陶瓷材料,該體系材料科在降低材料的整體熱膨脹系數(shù)的同時(shí),提升其抗熱震性能。
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