[發(fā)明專利]用于金屬線的CMP漿料組合物及使用其的拋光方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611114783.1 | 申請日: | 2016-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN106883767B | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李昭瀅;都均奉;金東珍;安江洙;鄭榮哲 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/321 | 分類號: | H01L21/321;C09G1/02 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 張英;宮傳芝 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 腐蝕抑制劑 拋光 金屬線 氧化劑 拋光金屬 拋光顆粒 去離子水 亞硝酸鹽 絡合劑 硝酸銨 申請 自由 | ||
1.一種用于拋光金屬線的化學機械拋光漿料組合物,包含:拋光顆粒;氧化劑;絡合劑;腐蝕抑制劑;和去離子水,其中,所述腐蝕抑制劑包含選自亞硝酸鹽、或者亞硝酸鹽和硝酸銨的組合中的至少一種無機腐蝕抑制劑。
2.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,其中,所述亞硝酸鹽包含亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、亞硝酸銨和它們的組合中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,其中,所述無機腐蝕抑制劑以0.001wt%至10wt%的量存在于所述化學機械拋光漿料組合物中。
4.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,進一步包含:表面活性劑、聚合化合物、分散劑、pH調節(jié)劑或它們的組合。
5.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,包含:0.01wt%至20wt%的所述拋光顆粒;0.01wt%至10wt%的所述氧化劑;0.01wt%至20wt%的所述絡合劑;0.001wt%至10wt%的所述腐蝕抑制劑;以及余量的去離子水。
6.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,其中,所述化學機械拋光漿料組合物具有對鈷膜測量的或更低的靜態(tài)蝕刻速率SER。
7.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,其中,所述化學機械拋光漿料組合物具有對銅膜測量的或更低的靜態(tài)蝕刻速率SER。
8.根據權利要求1所述的化學機械拋光漿料組合物,其中,所述化學機械拋光漿料組合物具有20%或更低的去除率不均勻度。
9.一種拋光方法,包括:使用根據權利要求1至8中任一項所述的化學機械拋光漿料組合物拋光金屬線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





