[發明專利]紫外發光二極管器件的制備方法在審
| 申請號： | 201611114395.3 | 申請日： | 2016-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN106784180A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 閆建昌;孫莉莉;張韻;王軍喜;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紫外 發光二極管 器件 制備 方法 | ||
1.一種紫外發光二極管器件的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上生長含In或含Ga的AlN低溫成核層；
步驟2：在低溫成核層上生長AlN高溫緩沖層，高溫過程中In和Ga析出、蒸發，使低溫成核層自組裝形成空氣隙；
步驟3：在AlN高溫緩沖層上依次生長N型AlxGa1-xN電極接觸層、AlxGa1-xN量子阱層、AlxGa1-xN電子阻擋層、P型AlxGa1-xN層和P型InxGa1-xN電極接觸層；
步驟4：在P型InxGa1-xN電極接觸層的上面向下依次刻蝕P型InxGa1-xN電極接觸層、P型AlxGa1-xN層、AlxGa1-xN電子阻擋層和AlxGa1-xN量子阱層，暴露出N型AlxGa1-xN電極接觸層，在N型AlxGa1-xN電極接觸層上的一側形成LED芯片PN結的臺面；
步驟5：在N型AlxGa1-xN電極接觸層一側的臺面上制備n型接觸電極；
步驟6：在P型InxGa1-xN電極接觸層上制備p型接觸電極，完成制備。
2.根據權利要求1所述的紫外發光二極管器件的制備方法，其中所述襯底的材料為藍寶石、SiC、AlN或Si。
3.根據權利要求1所述的紫外發光二極管器件的制備方法，其中所述含In或含Ga的AlN低溫成核層的材料為AlInN、AlGaN或AlInGaN。
4.根據權利要求3所述的紫外發光二極管器件的制備方法，其中所述的含In或含Ga的AlN低溫成核層的生長溫度范圍為500-850℃。
5.根據權利要求1所述的紫外發光二極管器件的制備方法，其中所述的在含In或含Ga的AlN低溫成核層上生長AlN高溫緩沖層的溫度范圍為1100-1600℃。
6.根據權利要求1所述的紫外發光二極管器件的制備方法，其中所述的含In或含Ga的AlN低溫成核層、AlN高溫緩沖層、N型AlxGa1-xN電極接觸層、AlxGa1-xN量子阱層、AlxGa1-xN電子阻擋層、P型AlxGa1-xN層和P型InxGa1-xN電極接觸層是采用以下生長技術中的一種，或者幾種的綜合，包括：MOCVD技術、MBE技術或者磁控濺射技術。
7.根據權利要求1所述的紫外發光二極管器件的制備方法，其中所述的N型AlxGa1-xN電極接觸層、AlxGa1-xN量子阱層、AlxGa1-xN電子阻擋層、P型AlxGa1-xN層和P型InxGa1-xN電極接觸層中x的范圍為0≤x≤1，使得所述的紫外發光二極管器件的發光波長為210nm-400nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611114395.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
