[發明專利]非對稱相移光柵及DFB半導體激光器在審
| 申請號: | 201611112090.9 | 申請日: | 2016-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN108155560A | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 鄭俊守;孫雨舟;王祥忠 | 申請(專利權)人: | 蘇州旭創科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/12 | 分類號: | H01S5/12;H01S5/125 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光柵 相移 相移光柵 半導體激光器 光柵周期 非對稱 刻蝕 單模成品率 非對稱結構 激光輸出端 輸出光功率 折射率調制 有效輸出 逐漸變化 逐漸減小 激光器 不對稱 光功率 占空比 腔長 燒孔 申請 相等 偏離 引入 | ||
1.一種非對稱相移光柵,其特征在于,所述相移光柵包括相移及位于相移兩側的第一光柵和第二光柵,所述第一光柵的長度大于第二光柵,所述第一光柵和第二光柵的刻蝕深度相同且光柵周期相等;所述第一光柵及第二光柵均包括相鄰相移設置的切趾段光柵,并且所述切趾段光柵的占空比逐漸變化以使所述相移光柵的折射率調制由兩側向相移逐漸減小。
2.根據權利要求1所述的非對稱相移光柵,其特征在于,所述第一光柵及第二光柵的切趾段光柵的長度相同且折射率調制分布保持一致。
3.根據權利要求1所述的非對稱相移光柵,其特征在于,所述第一光柵或第二光柵還包括有設置于切趾段光柵背離相移一側的均勻段光柵,所述均勻段光柵的占空比為一恒定值a,0<a<1.0,其中:
當均勻段光柵的占空比為一恒定值a,0<a<0.5時,所述切趾段光柵的占空比自相移向兩側沿光柵軸向由0逐漸增大到a;
當均勻段光柵的占空比為一恒定值a,a=0.5時,所述切趾段光柵的占空比自相移向兩側沿光柵軸向由0逐漸增大到0.5或由1.0逐漸減小到0.5;
當均勻段光柵的占空比為一恒定值a,0.5<a<1時,所述切趾段光柵的占空比自相移向兩側沿光柵軸向由1.0逐漸減小到a。
4.一種DFB半導體激光器,所述DFB半導體激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延層,DFB激光腔包括依次設置的光柵刻蝕阻止層、相移光柵、光柵覆蓋層,其特征在于,所述相移光柵包括相移及位于相移兩側的第一光柵和第二光柵,第一光柵和第二光柵的刻蝕深度相同且光柵周期相等,所述第一光柵的長度大于第二光柵;所述第一光柵及第二光柵均包括相鄰相移設置的切趾段光柵,并且所述切趾段光柵的占空比逐漸變化以使所述相移光柵的折射率調制由兩側向相移逐漸減小。
5.根據權利要求4所述的DFB半導體激光器,其特征在于,所述第一光柵及第二光柵的切趾段光柵的長度相同且折射率調制分布保持一致。
6.根據權利要求4所述的DFB半導體激光器,其特征在于,所述第一光柵或第二光柵還包括有設置于切趾段光柵背離相移一側的均勻段光柵,所述均勻段光柵的占空比為一恒定值a,0<a<1.0,其中:
當均勻段光柵的占空比為一恒定值a,0<a<0.5時,所述切趾段光柵的占空比自相移向兩側沿光柵軸向由0逐漸增大到a;
當均勻段光柵的占空比為一恒定值a,a=0.5時,所述切趾段光柵的占空比自相移向兩側沿光柵軸向由0逐漸增大到0.5或由1.0逐漸減小到0.5;
當均勻段光柵的占空比為一恒定值a,0.5<a<1.0時,所述切趾段光柵的占空比自相移向兩側沿光柵軸向由1.0逐漸減小到a。
7.根據權利要求4所述的DFB半導體激光器,其特征在于,所述DFB半導體激光器的兩側端面均鍍有抗反射膜。
8.根據權利要求4所述的DFB半導體激光器,其特征在于,所述DFB半導體激光器為掩埋異質結型激光器或脊波導型激光器。
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