[發(fā)明專利]一種尋找厚覆蓋區(qū)矽卡巖型金屬礦產(chǎn)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611109876.5
• 申請(qǐng)日: 2016-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN106772676A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪青松;崔先文;張凱;王芝水;產(chǎn)思維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽省勘查技術(shù)院
• 主分類號(hào): G01V11/00
• 分類號(hào): G01V11/00
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務(wù)所34116
• 代理人: 李啟勝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及地球物理勘探技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種尋找厚覆蓋區(qū)矽卡巖型金屬礦產(chǎn)的方法。

背景技術(shù)

在深部巖漿向上侵入地層過(guò)程中，巖漿首先進(jìn)入圍巖裂隙中排擠圍巖，同時(shí)伴隨的巖漿熱液不斷侵蝕的圍作用巖，部分圍巖被迫從地層中分離出來(lái)，并被巖漿包裹，形成圍巖捕虜體。當(dāng)中酸性巖漿巖侵入碳酸鹽巖類地層時(shí)，往往會(huì)發(fā)生矽卡巖化、大理巖化和成礦作用，在圍巖接觸帶及附近形成矽卡巖型礦床。

在厚覆蓋區(qū)找礦，地表被新生界等松散沉積物覆蓋，地面地質(zhì)調(diào)查方法無(wú)法開展，物探方法中，各種方法有其天然的弱勢(shì)，如常規(guī)電法、電磁法由于覆蓋層的低阻屏蔽作用，無(wú)法獲得礦體或礦化的有效信息。單一的物探方法對(duì)于厚覆蓋區(qū)矽卡巖型礦產(chǎn)的勘探難以奏效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種尋找厚覆蓋區(qū)矽卡巖型金屬礦產(chǎn)的方法。

本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種尋找厚覆蓋區(qū)矽卡巖型金屬礦產(chǎn)的方法，其特征在于步驟如下：

步驟一、分析成礦地質(zhì)條件編制勘查區(qū)成礦建造構(gòu)造圖；

步驟二、根據(jù)成礦建造構(gòu)造圖，確定找礦靶區(qū)；

找礦靶區(qū)選擇條件包括：①處于巖體與碳酸鹽巖地層內(nèi)外接觸帶；

②巖體為燕山期中酸性閃長(zhǎng)巖、中酸性閃長(zhǎng)玢巖、石英二長(zhǎng)閃長(zhǎng)巖、石英二長(zhǎng)閃長(zhǎng)玢巖、花崗閃長(zhǎng)巖、花崗閃長(zhǎng)斑巖和二長(zhǎng)花崗巖中的一種或多種；

③地層為古生界寒武系中上統(tǒng)富鎂碳酸鹽巖或奧陶系下統(tǒng)鈣鎂碳酸巖地層；

④大地構(gòu)造位置為華北地臺(tái)；

步驟三、在找礦靶區(qū)進(jìn)行重力、磁法掃面數(shù)據(jù)采集，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理解釋，對(duì)異常進(jìn)行剖析，確定成礦位置；

步驟四、在成礦位置鉆探驗(yàn)證礦藏。

作為對(duì)上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟三中確定成礦位置的步驟為：在強(qiáng)磁異常區(qū)域開展CSAMT法剖面測(cè)量，判斷CSAMT視電阻率斷面圖上為變形水平層狀或蘑菇狀異常的區(qū)域?yàn)槌傻V區(qū)域，所述強(qiáng)磁異常區(qū)域的強(qiáng)度≥1000nT，異常梯度≥400nT/百米，所述蘑菇狀異常的剖面圖異常形態(tài)為蘑菇狀，蘑菇狀異常傘蓋直徑500-1500米，傘蓋頂部到蘑菇根部深度500-1000米，蘑菇狀異常頂部埋深100-300米，蘑菇根部部位電阻率與圍巖電阻率差值為500-1000歐姆·米，所述變形水平層狀異常的視電阻率在水平方向上緩慢變化引起視電阻率曲線緩?fù)蛊鸹虬枷荩乙曤娮杪侍菁?jí)帶變化小于2000歐姆·米/Km。

作為對(duì)上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟三中確定成礦位置的步驟為：在弱磁異常區(qū)域開展CSAMT法和CR法剖面測(cè)量，判斷CSAMT視電阻率為水平層狀，且CR法充電率異常區(qū)域?yàn)槌傻V區(qū)域，所述弱磁異常區(qū)域強(qiáng)度為0-500nT，異常梯度＜200nT/百米，CR法充電率異常的區(qū)域的充電率大于20％。

作為對(duì)上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟三中確定成礦位置的步驟為：在負(fù)磁異常區(qū)域開展CSAMT法和CR法剖面測(cè)量，判斷CSAMT視電阻率為蘑菇狀異常，且存在CR法充電率異常的區(qū)域?yàn)槌傻V區(qū)域，所述負(fù)磁異常區(qū)域的強(qiáng)度小于0nT。

作為對(duì)上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟三中確定成礦位置的步驟為：在鼻狀構(gòu)造的重力高異常區(qū)域，開展CSAMT法和CR法剖面測(cè)量，判斷CSAMT視電阻率為蘑菇狀異常，且存在CR法充電率異常的區(qū)域?yàn)槌傻V區(qū)域，所述鼻狀構(gòu)造的重力高異常區(qū)域的布格重力異常圖上場(chǎng)值高于周圍，鼻翼部位寬1000-3000米，鼻翼中心到鼻根部位長(zhǎng)度500-2000米，所述蘑菇狀異常的剖面圖異常形態(tài)為蘑菇狀，蘑菇狀異常傘蓋直徑500-1500米，傘蓋頂部到蘑菇根部深度500-1000米，蘑菇狀異常頂部埋深100-300米，蘑菇根部部位電阻率與圍巖電阻率差值為500-1000歐姆·米，CR法充電率異常的區(qū)域的充電率大于20％。

作為對(duì)上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟三中確定成礦位置的步驟為：在重力梯級(jí)帶異常區(qū)域開展開展1/1萬(wàn)或1/2.5萬(wàn)磁法測(cè)量，在出現(xiàn)磁異常的區(qū)域，開展CR法剖面測(cè)量，判斷出現(xiàn)充電率異常的區(qū)域?yàn)槌傻V區(qū)域，CR法充電率異常的區(qū)域的充電率大于20％。

作為對(duì)上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟三中確定成礦位置的步驟為：在重力梯級(jí)帶異常區(qū)域開展開展1/1萬(wàn)或1/2.5萬(wàn)磁法測(cè)量，在無(wú)磁異常但存在0.1-1.5×10-5m/s2的剩余重力異常的區(qū)域，開展CR法剖面測(cè)量，判斷出現(xiàn)充電率異常區(qū)域?yàn)槌傻V區(qū)域，CR法充電率異常的區(qū)域的充電率大于20％。