[發明專利]一種高質量量子點熒光薄膜材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201611109108.X
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN106585061B
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 魏居富;周超;李靜
• 申請（專利權）人: 廈門世納芯科技有限公司
• 主分類號: B32B37/12
• 分類號: B32B37/12
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 李強

1.一種高質量量子點熒光薄膜材料的制備方法，其特征在于：

步驟一、制備量子點溶液；

步驟二、制備聚合物，并向聚合物中加入步驟一制備的量子點溶液后，置于模具中冷卻固化，即得到聚合物-量子點塊材；

步驟三、將聚合物-量子點塊材進行機械切割，調整切割參數，即獲得不同厚度的量子點熒光薄膜；

步驟四、將步驟三制備的量子點熒光薄膜貼覆上薄膜保護層，即制成高質量量子點熒光薄膜材料；

所述量子點溶液為Mn：ZnSe摻雜量子點溶液，其制備方法為：

取硬脂酸錳溶于十八烯中加熱至100℃，得到溶液A；取硬脂酸鋅、硬脂酸和十八烯溶解后得到溶液B；

取硒粉、十八烯和油胺于容器中，加熱至100℃，抽氣20min，再通入氬氣，升溫至260℃至硒粉溶解，繼續升溫至275℃注入溶液A；進一步降溫至260℃保溫一段時間以生長MnSe；然后降溫至240℃注入溶液B，反應2h后自然冷卻至室溫，即得到Mn：ZnSe摻雜量子點；

其中，聚合物-量子點塊材為聚合物-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材，其制備方法為：

取100～500重量份的聚合物單體置于容器中,加入1～100重量份引發劑，在室溫下以200～1000r/min轉速攪拌10min～1h至引發劑完全溶解；進一步加熱至20～200℃，保溫10min～5h讓聚合物單體發生聚合反應；

向發生聚合反應的聚合物中加入1～200重量份的Mn：ZnSe摻雜量子點溶液，進行攪拌，再抽氣10min～30min，繼續在20℃～200℃下保溫30min～5h，置于模具中冷卻固化，即得到聚合物-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材；

其中，所述聚合物單體為甲基丙烯酸甲酯，所述聚合物-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材為聚甲基丙烯酸甲酯-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材，所述引發劑為過氧化苯甲酰。

2.根據權利要求1所述的一種高質量量子點熒光薄膜材料的制備方法，其特征在于，步驟四中，薄膜保護層的制備方法為：將步驟三制備的量子點熒光膜清潔干燥后，進行除靜電處理，然后貼上光學膠并送入真空機中除泡；同時將裁剪好的PET膜保護層表面依次清潔、干燥、上膠后，將量子點熒光膜和PET膜保護層機械定位后貼合，即完成高質量量子點熒光薄膜材料的制備。

3.根據權利要求1所述的一種高質量量子點熒光薄膜材料的制備方法，其特征在于，聚合物-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材為聚甲基丙烯酸甲酯-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材，其制備方法為：

取甲基丙烯酸甲酯作為聚合物單體置于容器中，加入過氧化苯甲酰，在室溫下以1000r/min轉速攪拌1h，使得過氧化苯甲酰溶解在甲基丙烯酸甲酯中；

進行水浴加熱，當溫度達到50℃時保溫30min，再升溫至70℃保溫40min，繼續升溫至85℃保溫30min，以制備聚甲基丙烯酸甲酯聚合物；進一步向容器中加入Mn：ZnSe摻雜量子點溶液，進行攪拌，再抽氣30min，在溫度為50℃下攪拌1h后，置于模具中冷卻固化，即得到聚甲基丙烯酸甲酯-Mn：ZnSe摻雜量子點塊材。

4.根據權利要求1任一項所述的一種高質量量子點熒光薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述攪拌方式為機械攪拌或磁力攪拌；所述加熱方式為水浴加熱、油浴加熱、沙浴加熱、電磁加熱、微波加熱中的一種或者多種組合。

5.根據權利要求1所述的一種高質量量子點熒光薄膜材料的制備方法，其特征在于：制備薄膜保護層的材料具有高透光性與水氧阻隔性，為PVC、PET、PP、PS、ABS、環氧樹脂、聚氨酯中的一種或多種；使用旋涂、流延、噴涂、提拉或者貼合的方法在量子點薄膜上貼覆薄膜保護層。

6.一種采用如權利要求1-5任一項所述的一種高質量量子點熒光薄膜材料的制備方法所制備的高質量量子點熒光薄膜材料。