[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201611108634.4
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN108063080B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 翁志強;蔡陳德;丁嘉仁;張瀛方
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 任巖

1.一種等離子體處理裝置，其包含：

一上電極，包括：

多個凸柱，凸伸設置于該上電極的一面且連接等離子體產生源，該多個凸柱環繞一圓心形成多個圈，在每一圈設有至少一該凸柱，每一該凸柱為導電材質，該每一圈上的該凸柱所形成的圓環形軌跡的外緣與其相鄰的圓環形軌跡的內緣至少相切，在該上電極設有該多個凸柱的面設有介電材質覆蓋該上電極及該多個凸柱；

多個氣孔，分布于該多個凸柱之間，該多個氣孔連接工藝氣體源；以及

一下電極，其具有一承載面用以承載工件，該承載面朝向該上電極設有該多個凸柱的面，該下電極為導電材質且其表面包覆有介電材質，該下電極接地且被驅動旋轉。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中該多個圈的凸柱的圓環形軌跡形成一圓形涵蓋范圍。

3.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中每一該凸柱為圓柱體，其軸向端部朝向該下電極。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其中該多個凸柱的直徑具有至少一種尺寸。

5.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中在相鄰兩該圈之間或在該每一圈上設有至少一氣孔。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其中該上電極包括：

一座體，為導電材質，該多個凸柱設置于該座體的一面；

多個套件，為介電材質，每一該凸柱套設一該套件；

以及

一殼體，為介電材質，其相對應于該多個凸柱的位置設有多個第一孔洞，該座體設置于該殼體內，該套設有該套件的該多個凸柱由相對應的該多個第一孔洞凸伸于該殼體外，該多個氣孔設置于該殼體。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其中該座體包括：

冷卻流道，設置于該座體相對于設有該多個凸柱的面，該冷卻流道具有一流入端以及一流出端；

第一蓋板，為導電材質，設置于該座體相對于設有該多個凸柱的面，且覆蓋于該冷卻流道，該第一蓋板設有一流體入口及一流體出口，冷卻流體由該流體入口流入該流入端，再由該流出端經由流體出口流出該冷卻流道。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中該殼體具有一第二蓋板，為介電材質，其設置于該殼體相對于設有該多個凸柱的面，且覆蓋于該第一蓋板。

9.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其中該座體在設有該多個凸柱的面設有一介電材質的隔片。

10.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中該下電極的承載面設有多個抽氣孔，用以吸附該工件使定位于該承載面。