[發(fā)明專利]晶體管陣列基板及應(yīng)用的顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611108620.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107154403B | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林峻良;崔博欽;陳宏昆;許乃方;陳奕靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 陣列 應(yīng)用 顯示 面板 | ||
1.一種晶體管陣列基板,包含多個(gè)晶體管設(shè)置在一基材上,其中該些晶體管中的一晶體管包括:
柵極電極,設(shè)置在該基材上;
第一絕緣層,設(shè)置在該柵極電極上;
有源層,設(shè)置在該第一絕緣層上,包含通道區(qū);
源極電極和漏極電極,設(shè)置在該有源層上,其中該源極電極和該漏極電極中的至少一者包含:
第一導(dǎo)電層,設(shè)置在該有源層上;和
第二導(dǎo)電層,設(shè)置在該第一導(dǎo)電層上并與該第一導(dǎo)電層接觸;
其中該第二導(dǎo)電層暴露出該第一導(dǎo)電層的部分上表面,以使該第一導(dǎo)電層于該第二導(dǎo)電層的邊緣處具有一第一突出部朝向該通道區(qū)延伸,該第一導(dǎo)電層于該第二導(dǎo)電層的邊緣處具有一第三突出部,該第三突出部遠(yuǎn)離該通道區(qū)延伸;和
第二絕緣層,覆蓋該源極電極和該漏極電極,其中該第二絕緣層的部分上表面具有弧形邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該第一突出部的長度小于等于0.36微米。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該第一突出部的長度大于等于該第二導(dǎo)電層的厚度的20%。
4.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該第一突出部包含第一側(cè)邊和第一底邊,該第二導(dǎo)電層包含第二側(cè)邊和第二底邊,該第二側(cè)邊鄰近于該通道區(qū),其中該第一側(cè)邊和該第一底邊的夾角θ1大于該第二側(cè)邊和該第二底邊的夾角θ2。
5.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該柵極電極包括下導(dǎo)電層和上導(dǎo)電層,該下導(dǎo)電層設(shè)置在該基材上,該上導(dǎo)電層設(shè)置在該下導(dǎo)電層上,其中該下導(dǎo)電層于該上導(dǎo)電層的邊緣處具有第二突出部突出于該上導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求5所述的晶體管陣列基板,其中該第一突出部的長度大于該第二突出部的長度。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該有源層的邊緣超過該柵極電極的邊緣。
8.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該源極電極和該漏極電極中的該至少一者覆蓋該有源層的側(cè)邊。
9.如權(quán)利要求1所述的晶體管陣列基板,其中該第一導(dǎo)電層覆蓋該有源層的側(cè)邊。
10.一種顯示面板,包括:
第一基板,包括多個(gè)晶體管設(shè)置在一基材上,其中該些晶體管中的一晶體管包含;
柵極電極,設(shè)置在該基材上;
第一絕緣層,設(shè)置在該柵極電極上;
有源層,設(shè)置在該第一絕緣層上,包含通道區(qū);
源極電極和漏極電極,設(shè)置在該有源層上,其中該源極電極和該漏極電極中的至少一者包含:
第一導(dǎo)電層,設(shè)置在該有源層上;
第二導(dǎo)電層,設(shè)置在該第一導(dǎo)電層上并與該第一導(dǎo)電層接觸;
其中該第二導(dǎo)電層暴露出該第一導(dǎo)電層的部分上表面,以使該第一導(dǎo)電層于該第二導(dǎo)電層的邊緣處具有一第一突出部朝向該通道區(qū)延伸,該第一導(dǎo)電層于該第二導(dǎo)電層的邊緣處具有一第三突出部,該第三突出部遠(yuǎn)離該通道區(qū)延伸;和
第二絕緣層,覆蓋該源極電極和該漏極電極,其中該第二絕緣層的部分上表面具有弧形邊緣;和
第二基板,與該第一基板相對(duì)設(shè)置;和
顯示介質(zhì)層,設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 在線應(yīng)用平臺(tái)上應(yīng)用間通信的回調(diào)應(yīng)答方法、應(yīng)用及在線應(yīng)用平臺(tái)
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