[發(fā)明專利]一種晶體材料、其制備方法及包含其的非線性光學(xué)晶體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611108475.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106757365B | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李淑芳;郭國(guó)聰;姜小明;徐忠寧;曾卉一 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/46 | 分類號(hào)： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京元周律知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11540 | 代理人： | 張瑩 |
| 地址： | 350002 福建*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體材料 商用 制備 非線性光學(xué)晶體材料 非線性光學(xué)晶體 紅外非線性光學(xué) 中遠(yuǎn)紅外波段 光參量振蕩 變頻器件 激光倍頻 激光損傷 激光器 倍頻 差頻 和頻 應(yīng)用 申請(qǐng) | ||
1.一種晶體材料，其特征在于，所述晶體材料是化學(xué)式為式I-1的晶體材料的晶體材料中的一種；
Na2In4SSe6 式I-1
化學(xué)式為式I-1的晶體材料，屬于正交晶系的Pca21空間群，晶胞參數(shù)為α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝4。
2.制備權(quán)利要求1所述晶體材料的方法，其特征在于，至少包含以下步驟：將含有Na元素、In元素、S元素和Se元素的原料置于真空條件下采用高溫固相法制備得到所述晶體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶體材料是化學(xué)式為式I的晶體材料，所述原料中Na元素、In元素、S元素和Se元素的摩爾比為：
Na：In：(S+Se)＝2：4：7～15。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述原料由Na2S、In單質(zhì)和Se單質(zhì)混合得到。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述高溫固相法為將原料置于真空條件下，加熱至600℃～950℃保持不少于48小時(shí)后，降溫冷卻即得所述晶體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述高溫固相法為將原料置于真空條件下，加熱至700℃～950℃保持48小時(shí)～96小時(shí)后，降溫冷卻即得所述晶體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述降溫冷卻為先以1～5℃/h的降溫速率降至200℃～400℃后，再關(guān)閉加熱冷卻至室溫。
8.一種非線性光學(xué)晶體材料，其特征在于，含有權(quán)利要求1所述的晶體材料、根據(jù)權(quán)利要求2至7任一項(xiàng)所述方法制備得到的晶體材料中的至少一種。
9.權(quán)利要求8所述非線性光學(xué)晶體材料在激光器中的應(yīng)用。
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