[發明專利]熱處理制作工藝

在審

• 申請號: 201611105777.X
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN108155096A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 曲立輝
• 申請（專利權）人: 青島小米星電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明較佳實施例是公開一種熱處理制作工藝。首先提供一待加熱的半導體基底，然后利用至少兩個具有不同能量密度的第一加熱光束及第二加熱光束同時對該半導體基底進行加熱。由此，本發明除了可省略現有進行熱處理制作工藝時需切換不同機臺的麻煩并縮短制作工藝周期，又可改善僅由半導體基底正面加熱而產生圖案化現象的問題。

技術領域

本發明涉及一種熱處理制作工藝，尤其是涉及一種利用至少兩個不同能量密度的加熱光束同時對一半導體基底進行加熱的制作工藝。

背景技術

隨著半導體制造技術越來越精密，集成電路也發生重大的變革，使得電腦的運算性能和存儲容量突飛猛進，并帶動周邊產業迅速發展。而半導體產業也如同摩爾定律所預測的，以每18個月增加一倍晶體管數目在集成電路上的速度發展著，同時半導體制作工藝也已經從1999年的0.18微米、2001年的0.13微米、2003年的90納米(nm)，進入到2005年65納米，并朝向45納米邁進。因此，伴隨著半導體制作工藝的進步和微電子元件的微小化，單一芯片上的半導體元件的密度越來越大，相對地元件之間的間隔也越來越小。在此情形下，各種半導體制作工藝皆面臨新的挑戰與瓶頸，必須不斷研發出能符合高集成度要求的新制作工藝技術。

現今采用上述快速熱處理制作工藝，包括以高溫爐管或激光退火等制作工藝時仍產生許多問題。舉例來說，以高溫爐管進行的快速熱處理制作工藝以及以激光進行的毫秒退火制作工藝分屬不同的設備機臺，因此若一MOS晶體管制作工藝中需要進行兩種制作工藝，必須先將一待加熱的晶片移至一機臺進行其中一項熱處理，然后等完成后再將晶片移至另一個機臺進行另一項熱處理，在機臺的切換上不但耗費時間，又延長了整個制作工藝的周期(cycle time)。

發明內容

因此本發明的目的在于提供一種對一待加熱的半導體基底進行熱處理的方法，以解決上述現有熱制作工藝所伴隨的問題。

本發明較佳實施例是揭露一種熱處理制作工藝。首先提供一待加熱的半導體基底，然后利用至少兩個具有不同能量密度的第一加熱光束及第二加熱光束同時對該半導體基底進行加熱。由此，本發明除了可省略現有進行熱處理制作工藝時需切換不同機臺的麻煩并縮短制作工藝周期，又可改善僅由半導體基底正面加熱而產生圖案化現象的問題。

具體實施方式

一種熱處理制作工藝。首先提供一待加熱的半導體基底，然后利用至少兩個具有不同能量密度的第一加熱光束及第二加熱光束同時對該半導體基底進行加熱。由此，本發明除了可省略現有進行熱處理制作工藝時需切換不同機臺的麻煩并縮短制作工藝周期，又可改善僅由半導體基底正面加熱而產生圖案化現象的問題。