[發(fā)明專利]一種原位形成擬胚體的多功能微流控芯片的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611105481.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108148750B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦建華;尹方超;王麗;朱玉娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | C12M3/00 | 分類號(hào): | C12M3/00;C09J5/02 |
| 代理公司: | 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人: | 樊南星 |
| 地址: | 116023 *** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原位 形成 擬胚體 多功能 微流控 芯片 制備 方法 | ||
1.一種原位形成擬胚體的多功能微流控芯片的制備方法,所述多功能微流控芯片是用于細(xì)胞遷移和侵襲實(shí)驗(yàn)的微流控芯片;其特征在于:該芯片由三層芯片組成,上層芯片為帶有防塌陷小柱的細(xì)胞培養(yǎng)室,中間層為多孔濾膜,下層為帶有微陣列小柱的細(xì)胞培養(yǎng)室;所述微流控芯片的頂層芯片的下表面和多孔濾膜為靜電吸附,底層芯片的上表面和多孔濾膜為聚二甲基硅氧烷粘合,同時(shí)底層芯片的上表面和頂層芯片的下表面進(jìn)行聚二甲基硅氧烷粘合;
所述原位形成擬胚體的多功能微流控芯片的制備方法依次要求如下:
取多孔濾膜在頂層芯片相應(yīng)觀察窗的位置處進(jìn)行打孔;
多孔濾膜通過靜電吸附粘附在頂層芯片的下表面;
聚二甲基硅氧烷粘合方法為:使用單體與引發(fā)劑比例為(15~25):1的聚二甲基硅氧烷聚合物,在玻璃片上甩10μ m -50μ m 厚的薄膜,將底層芯片的上表面進(jìn)行氧等離子的處理后,蘸取聚二甲基硅氧烷聚合物薄膜,與封接有頂層芯片的多孔濾膜對(duì)齊封接粘合,置于70~90℃ 烘箱中加熱,15-60分鐘固化完全。
2.按照權(quán)利要求1所述原位形成擬胚體的多功能微流控芯片的制備方法,其特征在于:所述原位形成擬胚體的多功能微流控芯片的制備方法還滿足下述要求之一或其組合:
其一,所述多功能微流控芯片的材料為能透光透氣的聚二甲基硅氧烷聚合物,聚二甲基硅氧烷單體與引發(fā)劑比例為(5~15):1;
其二,多孔濾膜材料為聚碳酸酯膜,聚碳酸酯膜的孔徑為0.01μ m -10μ m ;
其三,頂層芯片培養(yǎng)室內(nèi)設(shè)置有防塌陷小柱,防止頂層芯片塌陷影響液體的流通;
其四,底層芯片內(nèi)有陣列排布的微柱,其中微柱的直徑為200-800μm,微柱之間的距離為50-100μm,微柱的高度為200-900μm;微陣列小柱的高度要求低于底層通道的高度,以保證下層芯片中細(xì)胞具有充足的營(yíng)養(yǎng);
其五,頂層芯片與底層芯片為十字交叉,多孔濾膜切割成適當(dāng)尺寸粘合于交叉部位,頂層芯片通道結(jié)構(gòu)延長(zhǎng)的部位可以觀察頂層細(xì)胞,底層芯片通道延長(zhǎng)的部位可以觀察底層細(xì)胞。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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