[發(fā)明專利]硅錠的鑄造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611105064.3
• 申請(qǐng)日: 2016-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN108149313A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曲立輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島小米星電子科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B11/00
• 分類號(hào): C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種硅錠的鑄造方法，其特征在于，包含以下幾個(gè)步驟：

步驟一、在坩堝中進(jìn)行裝料：首先、在坩堝的底部表面鋪設(shè)底層原料，所述底層原料包括多晶硅粉；其次、在所述底層原料上鋪設(shè)中間層原料，所述中間層原料由多塊單晶硅片拼接而成；再次、在所述中間層原料上填充上層原料，所述上層原料由多晶硅料組成；所述多晶硅料經(jīng)過(guò)提純并且根據(jù)將要形成的硅錠的目標(biāo)電阻率添加了摻雜劑；

步驟二、將裝料后的所述坩堝置于鑄錠爐中、并對(duì)所述鑄錠爐抽真空；對(duì)所述坩堝的底部進(jìn)行加熱并到達(dá)一定溫度，該溫度使所述坩堝底部的所述多晶硅粉燒結(jié)、并形成燒結(jié)層；所述燒結(jié)層上面與所述單晶硅片粘結(jié)、所述燒結(jié)層的下面與所述坩堝底部粘結(jié)，從而固定住所述單晶硅片；

步驟三、控制所述鑄錠爐的爐內(nèi)的垂直溫度梯度，保持所述底層原料的所述多晶硅粉為固態(tài)，使所述單晶硅片的上部部分熔化，并使所述上層原料的所述多晶硅料熔化；

步驟四、控制所述鑄錠爐的爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的所述單晶硅片向上生長(zhǎng)，最后得到與所述單晶硅片相同尺寸的硅錠。

2.如權(quán)利要求1所述硅錠的鑄造方法，其特征在于：步驟一中所述多晶硅粉的粒度為500目～5000目，所述底層原料的厚度為0.1毫米～5毫米。

3.如權(quán)利要求1所述硅錠的鑄造方法，其特征在于：步驟一所述底層原料還包括添加劑粉，所述添加劑粉為硅溶膠，或所述添加劑粉為氟硅酸和二氧化硅的混合物，所述添加劑粉的粒度為1000目～20000目、純度為99.999％以上。