[發明專利]一種基于圖像特征的CMOS傳感器底電平自適應調節方法

有效

• 申請號: 201611104699.1
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN106791465B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 唐琦;解靜;董國偉;胡永富;黃長寧;張宏偉;牟研娜;陳彥;潘錚;陳超;王震;侯作勛
• 申請（專利權）人: 北京空間機電研究所
• 主分類號: H04N5/235
• 分類號: H04N5/235;H04N5/374
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種基于圖像特征的CMOS傳感器底電平自適應調節方法，其特征在于步驟如下：

(1)劃分圖像灰度分布區間：灰度值小于等于P1的像素屬于暗區域Z0，灰度值大于等于P2的像素屬于亮區域Z1，灰度值在[P3,P4]區間的像素屬于感興趣區域Z2；

(2)分別計算Z0～Z2區域的像素個數占像素總數的比值K0～K2；

(3)根據步驟(2)得到的各區域像素個數比值，獲得底電平調整系數；

(4)由當前底電平數值乘以調整系數得出下次底電平數值；

(5)結束；

其中：所述步驟(3)中獲得底電平調整系數的具體方法如下：

(3a)若K2大于KM，則不調整底電平，將底電平調整系數設置為C1，直接進入步驟(4)，否則進入步驟(3b)；

(3b)若K0大于K1，則進入步驟(3c)，否則進入步驟(3d)；

(3c)根據K0的值查表得到底電平調整系數，并進入步驟(4)；

(3d)根據K1的值查表得到底電平調整系數，并進入步驟(4)；

其中：所述步驟(3c)和(3d)中，查找表的形式均為折線,不同的像素比值對應不同的底電平調整系數，折線的橫軸表示像素比值K0或K1，縱軸表示底電平調整系數，根據不同的需求，折線的具體形式不一樣。

2.根據權利要求1所述的一種基于圖像特征的CMOS傳感器底電平自適應調節方法，其特征在于：當所述像素比值K0大于等于A1時，對應的調整系數為2；當像素比值K1大于等于A2時，對應的調整系數為0.6；A1、A2分別用于判斷落在暗區域和亮區域的像素數目是否滿足調整要求，是根據不同需求的統計分析得到的，根據實際應用進行調整，其中0.40≤A1≤0.48，0.45≤A2≤0.52。

3.根據權利要求1所述的一種基于圖像特征的CMOS傳感器底電平自適應調節方法，其特征在于：閾值P1，P2，P3，P4用于界定不同灰度值的像素分別屬于不同區域，KM用于判斷落在感興趣區域的像素數目是否滿足要求，這些數值是根據不同需求的統計分析得到的，可根據實際應用進行調整，其中10≤P1≤15，228≤P2≤235，90≤P3≤98，130≤P4≤138；0.70≤KM≤0.78。

4.根據權利要求1所述的一種基于圖像特征的CMOS傳感器底電平自適應調節方法，其特征在于：步驟(3a)中所述底電平調整系數C1＝1。