[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611103946.6
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN107978533A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林柏均
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,章侃銥

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一基板與位于該基板上方的一晶片；

配置該基板于一第一模具件上方；

配置一第二模具件于該基板上方，以囊封該晶片；

配置一模制材料于該晶片附近；

形成一模制物于該基板上方且于該晶片附近；

移除該第一模具件；以及

移除該第二模具件，

其中該第一模具件包含一曲面，該曲面朝向該基板、該晶片或該第二模具件突出。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該基板位于該曲面上方。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該曲面為一凸面架構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該曲面包含不等于零的曲率。

5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其中在該模制物形成之前，該基板的曲率是與該曲面的曲率相同。

6.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其中在該模制物形成之后，該基板的曲率是自該曲面的曲率改變?yōu)榱恪?/p>

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該模制物形成之前，該基板的曲率是不等于零。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該模制物形成之前，該基板的曲率是零。

9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該模制物形成之前與之后，該基板的曲率是不同。

10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該模制物形成之后，該基板的曲率降低。

11.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該模制物形成之后，該基板朝向該晶片或該模制物突出。

12.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在配置該基板于該第一模具件上方之后，該基板或該晶片彎曲。

13.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該模制物的形成涉及一交聯(lián)反應(yīng)。

14.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該模制物是在150℃至200℃的一成形溫度進行。

15.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一基板與位于該基板上方的一晶片；

提供一第一溫度的一第一模具件；

配置該基板于該第一模具件上方；

提供一第二溫度的一第二模具件；

配置該第二模具件于該基板上方，以囊封該晶片；

配置一模制材料于該晶片附近；

在一成形溫度形成一模制物于該基板上方且于該晶片附近；

移除該第一模具件；以及

移除該第二模具件，

其中該第一溫度高于該成形溫度。

16.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中該第一溫度不同于或高于該第二溫度。

17.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中在該成形物形成過程中，該基板的溫度自該第一溫度改變?yōu)樵摮尚螠囟取?/p>

18.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中該第一溫度為150℃至260℃。

19.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一基板；

一晶片，位于該基板上方；以及

一模制物，位于該基板上方且在一成形溫度環(huán)繞該晶片，

其中于該成形溫度或是比該成形溫度高10℃或低10℃，該基板的翹曲為凸面或零。

20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該晶片的曲率是與該基板的該曲率相同。