[發明專利]攝像設備、攝像系統和攝像設備的驅動方法有效
| 申請號: | 201611103165.7 | 申請日: | 2016-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN106847845B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 繁田和之;海部紀之 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/341;H04N5/359;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京怡豐知識產權代理有限公司 11293 | 代理人: | 遲軍 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 設備 系統 驅動 方法 | ||
1.一種攝像設備,其包括:
多個像素,其按行和列進行布置,所述多個像素中的各個像素包括被構造為累積由入射光生成的電荷的光電轉換單元、被構造為保持電荷的保持單元、被構造為輸出基于電荷的信號的放大單元、被構造為將電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述保持單元的第一傳輸開關、以及被構造為將電荷從所述保持單元傳輸到所述放大單元的第二傳輸開關;
輸出線,其被構造為輸出來自所述多個像素的所述放大單元的信號;以及
控制單元,其被構造為執行以下操作:
第一傳輸操作,在將第一像素行和與第一像素行不同的第二像素行的第二傳輸開關維持在斷開狀態的同時,通過同時接通第一像素行和第二像素行的第一傳輸開關,來將在第一電荷累積時段中累積的電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述保持單元,
第一讀出操作,在第一傳輸操作之后,通過接通第一像素行的第二傳輸開關,將在第一電荷累積時段中累積的電荷從所述保持單元傳輸到所述放大單元,
第二傳輸操作,在第一讀出操作之后,在將第一像素行和第二像素行的第二傳輸開關維持在斷開狀態的同時,通過同時接通第一像素行和第二像素行的第一傳輸開關,來將在第二電荷累積時段中累積的電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述保持單元,以及
第二讀出操作,在第二傳輸操作之后,通過接通第二像素行的第二傳輸開關,將在第二電荷累積時段中累積的電荷從所述保持單元傳輸到所述放大單元,
其中,從第一讀出操作到第二讀出操作,第二像素行的第二傳輸開關維持在斷開狀態。
2.根據權利要求1所述的攝像設備,
其中,所述多個像素中的各個像素具有放電開關,所述放電開關用于排出在所述光電轉換單元中積累的電荷,并且
其中,所述控制單元執行控制,以在所述第一傳輸開關被多次間歇地接通的時刻斷開所述多個像素的所述放電開關。
3.根據權利要求1所述的攝像設備,其中,所述控制單元執行控制,以在所述第一傳輸開關被多次間歇地接通的時刻斷開所述多個像素的所述第二傳輸開關。
4.根據權利要求1所述的攝像設備,其中,所述多個像素中的各個像素包括:
作為所述保持單元的第一保持單元和第二保持單元;
所述第一傳輸開關,其將電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述第一保持單元;
所述第二傳輸開關,其將電荷從所述第一保持單元傳輸到所述放大單元;
第三傳輸開關,其被構造為將電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述第二保持單元;以及
第四傳輸開關,其被構造為將電荷從所述第二保持單元傳輸到所述放大單元,
其中,針對按多行布置的所述多個像素中的各個像素,所述控制單元執行控制以在相同的定時多次間歇地接通所述第三傳輸開關,來將電荷間歇地從所述光電轉換單元多次傳輸到所述第二保持單元,并且執行控制以按行依次接通所述多個像素的所述第四傳輸開關,來基于行將多次傳輸的由所述第二保持單元保持的電荷傳輸到所述放大單元,并且
其中,由所述第一保持單元保持且多次傳輸的電荷量,與由所述第二保持單元保持且多次傳輸的電荷量不同。
5.根據權利要求4所述的攝像設備,其中,間歇地接通所述第一傳輸開關的時段的長度與間歇地接通所述第三傳輸開關的時段的長度不同,或者,通過多次接通所述第一傳輸開關來將電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述第一保持單元的次數與通過多次接通所述第三傳輸開關來將電荷從所述光電轉換單元傳輸到所述第二保持單元的次數不同。
6.根據權利要求4所述的攝像設備,其中,所述控制單元執行控制,使得接通所述第一傳輸開關的時段與接通所述第三傳輸開關的時段不重疊。
7.根據權利要求4所述的攝像設備,其中,控制單元執行控制,使得接通所述第二傳輸開關的時刻不同于接通所述第四傳輸開關的時刻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





