[發明專利]阻氣疊層、半導體裝置、顯示元件、顯示裝置和系統

在審

• 申請號: 201611103021.1
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN107017308A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 新江定憲;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女遼一;草柳嶺秀
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 王增強

技術領域

本公開總體上涉及一種阻氣疊層、半導體裝置、顯示元件、顯示裝置和系統。

背景技術

對于諸如顯示器、照明裝置以及太陽能電池等電子裝置領域中的基板，除了包括透明度、耐熱性、耐溶劑性和層間附著力的若干物理屬性之外，還要求高水平的阻氣性。為此，研究了在基板和半導體元件之間提供具有阻氣性的阻擋層。

作為獲得阻氣性的示例，一種技術是將包含梯形聚有機硅倍半硅氧烷的主要成分的樹脂層沉積在塑料膜的至少一個上以及將包括氧化硅、氧化硅/氮化硅、氧化硅碳化物、碳化硅、氮化硅和二氧化硅中的任一的無機化合物層形成在樹脂層中，以便獲得阻氣疊層(例如，參見日本未審查專利申請公布號2006-123307)。

發明內容

在一個實施例中，阻氣疊層包括基板和形成在基板的表面中的至少一個上的阻擋層。該阻擋層包括含硅和堿土金屬的復合氧化物。

附圖說明

圖1是在第一實施例中的阻氣疊層的剖視圖；

圖2是在第一實施例中的場效應晶體管的剖視圖；

圖3A至圖3E是制造第一實施例中的場效應晶體管的過程的視圖；

圖4是在第一實施例的變型例中的場效應晶體管的第一剖視圖；

圖5是在第一實施例的另一變型例中的場效應晶體管的第二剖視圖；

圖6是在第一實施例的又一變型例中的場效應晶體管的第三剖視圖；

圖7是在第二實施例中的電視設備的構造的框圖；

圖8示出第二實施例中的電視設備；

圖9示出第二實施例中的電視設備；

圖10示出第二實施例中的電視設備；

圖11示出第二實施例中的顯示元件；

圖12示出第二實施例中的有機EL元件；

圖13示出第二實施例中的電視設備；

圖14示出第二實施例中的另一顯示元件；以及

圖15示出第二實施例中的又一顯示元件。

具體實施方式

本發明的至少一個實施例的總體目的是提供基本上消除由相關技術的局限和缺點導致的一個或多個問題的阻氣疊層、半導體裝置、顯示元件、顯示裝置和系統。

下面，參考附圖描述本發明的實施例。在附圖中，相同的部件具有相同的附圖標記，并在一些情況下省略了重復描述。

<第一實施例>

<阻氣疊層>

圖1是在第一實施例中，阻氣疊層的剖視圖。參考圖1，阻氣疊層10包括基板11和阻擋層12。

基板11是絕緣構件，并充當用于形成阻擋層12的基體。基板11的形狀、結構和尺寸沒有特別限制，可以根據需要為了目的進行選擇。基板11的材料沒有特別限制。基板11的材料可以是剛性材料或撓性材料(即具有撓性的材料)，并可以根據需要為了目的進行選擇。下面給出特定示例。

例如，玻璃基板或塑料基板可以用于基板11。沒有特別限制玻璃基板，可以根據需要為了目的選擇任何玻璃基板。玻璃基板的示例可以包括但不限于無堿玻璃和二氧化硅玻璃。沒有特別限制塑料基板，可以根據需要為了目的選擇任何塑料基板。塑料基板的示例可以包括但不限于聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚對萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。

阻擋層12形成在基板11的表面中的至少一個上。阻擋層12可以形成在基板11的兩個表面上。阻擋層12是阻擋諸如氧氣或水蒸汽的氣流(即氣體物質)的層。例如，當半導體元件安裝在阻擋層12上時，阻擋層12防止氧氣或水蒸汽從基板11側到達半導體元件。沒有特別限制平均厚度，可以根據需要為了目的選擇阻擋層12的任何平均厚度。

阻擋層12包括含硅和堿土金屬的復合氧化物。與包括SiO₂的已知阻擋層的線性膨脹系數相比，這種阻擋層12更多地提高了線性膨脹系數。因此，阻擋層12實現為幾乎不會遭受例如由基板11隨著溫度變化的膨脹和收縮導致的細微缺陷，比如裂紋、脫皮和針孔。此外，由于在透明度和耐熱性方面很好，含硅和堿土金屬的復合氧化物可應用于半導體裝置，例如薄膜晶體管。

包含在復合氧化物中的堿土金屬可以是例如Al、B、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一個。或者，復合氧化物可以包括一些(或全部)Al、B、Mg、Ca、Sr和Ba。復合氧化物可包括Al和B中的至少一個。

<場效應晶體管>

在本文中，作為使用阻氣疊層的示例，描述在阻氣疊層上制作的場效應晶體管。