[發明專利]一種氮化鎵基肖特基勢壘整流器

有效

• 申請號: 201611102938.X
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN106601789B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 裴軼;劉強
• 申請（專利權）人: 蘇州捷芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/872
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，包括：

連通層；

位于所述連通層一側的漂移層，該漂移層為單層或多層復合結構，其中的一層或多層材料的組分沿深度方向按預設調制函數改變，所述漂移層與所述連通層形成異質結結構，使所述漂移層內產生極化電荷,所述漂移層為鋁鎵氮、銦鎵氮或其他可以與氮化鎵形成異質結溝道的材料；

在所述漂移層遠離所述連通層一側表面刻蝕后沉積形成的金屬氧化物溝槽；

位于所述漂移層遠離所述連通層一側的陽極金屬；以及

位于所述連通層遠離所述漂移層一側的陰極金屬。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述漂移層中的一層或多層，其材料為鋁鎵氮、銦鎵氮或任意可與所述連通層形成異質結機構的類似物，材料的鋁組分或其他某組分的數值沿深度方向依照預設調制函數變化，變化范圍在0至1之間。

3.根據權利要求1所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述連通層為單層或多層復合結構，其中一層或多層為氮化鎵、鋁鎵氮、銦鎵氮、氮化鋁或任意可與所述漂移層形成異質結結構的類似物。

4.根據權利要求1所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述連通層包括襯底、緩沖層和通道層，所述氮化鎵基肖特基勢壘整流器還包括：

從所述陽極金屬的表面刻蝕至所述襯底的陰極溝槽，所述陰極溝槽內沉積有用于將所述緩沖層、通道層和襯底電連通的金屬連線層和沉積在所述金屬連線層上用于隔離所述金屬連線層與漂移層的隔離填充層。

5.根據權利要求1所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述連通層包括襯底和外延層，所述漂移層包括與所述外延層接觸以形成異質結結構的電荷層和位于所述電荷層和陽極金屬之間以優化晶體表面形貌的帽層。

6.根據權利要求1至5任意一項所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述金屬氧化物溝槽的深度小于所述漂移層的厚度，所述金屬氧化物溝槽與所述漂移層之間沉積有氧化物墊層，所述氧化物墊層內沉積有填充金屬層。

7.根據權利要求1至5任意一項所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述漂移層的厚度為100nm-100μm。

8.根據權利要求1至5任意一項所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述漂移層的摻雜濃度為10¹⁰cm^-3至10²³cm^-3。

9.根據權利要求1至5任意一項所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述連通層的厚度為1μm-1cm。

10.根據權利要求1至5任意一項所述的氮化鎵基肖特基勢壘整流器，其特征在于，所述連通層的摻雜濃度為10¹⁰cm^-3至10²³cm^-3。