[發(fā)明專利]一種半導體光放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611100374.6
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN106785915B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設計）人: 魏志鵬;唐吉龍;賈慧民;方鉉;張晶;郝永芹;王菲;馬曉輝;王曉華
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323;H01S5/343
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有拋物線形曲面波導結構的GaAs基半導體光放大器，包括N型GaAs襯底、N型Al_xGa_1-xAs緩沖層、N型AlGaAsSb下限制層、N型Al_xGa_1-xAs下波導層、In_xGa_1-xAs量子阱有源區(qū)、P型Al_xGa_1-xAs上波導層、P型AlGaAsSb上限制層，其特征在于，該光放大器為GaAs基半導體光放大器，該光放大器的P型波導層為具有拋物線形曲面的波導結構，可提高半導體光放大器的模式體積，使半導體光放大器具有更高的增益，同時該拋物線形曲面波導結構有利于壓縮半導體光放大器的發(fā)散角，實現(xiàn)高光輸出功率、提高與光纖耦合的效率；

所述半導體光放大器上波導層采用拋物線形曲面結構，用來增加半導體光放大器的模式體積，壓縮發(fā)散角，實現(xiàn)高光增益和高光輸出功率并可提高與光纖耦合的效率；

所述拋物線形曲面波導結構，通過電子束曝光或紫外光刻，然后采用干法刻蝕與濕法刻蝕相結合的工藝將上限制層、上波導層和有源區(qū)進行刻蝕，刻蝕深度到達下波導層上，獲得具有拋物線形曲面波導結構。

2.如權利要求1所述的半導體光放大器，其特征在于，半導體光放大器材料體系為GaAs基材料，限制層為AlGaAsSb材料，波導層為Al_xGa_1-xAs材料，量子阱有源區(qū)為In_xGa_1-xAs材料。

3.如權利要求1所述的半導體光放大器，其特征在于，In_xGa_1-xAs量子阱有源區(qū)位于Al_xGa_1-xAs上下波導層之間，N-Al_xGa_1-xAs下波導層位于N型AlGaAsSb下限制層上，下限制層位于N型GaAs襯底上，P-Al_xGa_1-xAs上波導層位于In_xGa_1-xAs量子阱有源區(qū)之上，P型上限制層位于上波導層上，量子阱有源區(qū)用于對信號光的放大。

4.如權利要求1所述的半導體光放大器，其特征在于，采用電感耦合等離子體刻蝕(ICP)或反應離子刻蝕(RIE)與濕法酸刻蝕相結合，提高刻蝕所要結構的精確度，實現(xiàn)對刻蝕深度及刻蝕速率的有效控制。