[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201611099583.3
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN108155145A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 武詠琴;孫武
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供前端器件層，并在所述前端器件層上形成層間介電層；

在所述層間介電層上形成金屬硬掩膜疊層；

圖案化所述金屬硬掩膜疊層，使其具有定義溝槽圖案的開口；

執行刻蝕，以在所述層間介電層中形成部分通孔；

以所述金屬硬掩膜疊層為掩膜刻蝕所述層間介電層，以形成溝槽，同時繼續刻蝕所述部分通孔，使其與前端器件層相連；

去除所述金屬硬掩膜疊層；

在所述溝槽及通孔中形成金屬互連。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜疊層為雙層結構。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜疊層包括TiN層及形成于所述TiN層上的Ti層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述TiN層與所述Ti層的厚度比為0.5-2。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介電層為低K介電層或超低K介電層。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，使用H₂O₂溶液移除所述硬掩膜疊層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述H₂O₂溶液的濃度為3％～15％。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，使用HF或H₂SO₄溶液移除所述硬掩膜疊層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，圖案化所述金屬硬掩膜疊層的步驟包括：

在所述金屬硬掩膜疊層上形成具有溝槽圖案的第一掩膜層；

以所述第一掩膜層為掩膜刻蝕所述金屬硬掩膜疊層；

移除所述第一掩膜層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜層包括依次形成的ODL層、Si抗反射層及具有溝槽圖案的光刻膠層。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述層間介電層中形成部分通孔的步驟包括：

在所述金屬硬掩膜疊層上形成具有通孔圖案的第二掩膜層；

以所述第二掩膜層為掩膜，依次刻蝕所述金屬硬掩膜疊層及所述層間介電層，以在所述層間介電層中形成部分通孔；

移除所述第二掩膜層。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜層包括依次形成的ODL層、Si抗反射層及具有通孔圖案的光刻膠層。

13.一種半導體器件，其特征在于，其采用權利要求1-12之一所述的方法制造。