[發明專利]半導體器件中的局部互連件的制造方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201611099323.6
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN107026118B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 賴瑞堯;陳盈燕;葉震亞;楊世海;陳燕銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一柵電極，設置在襯底上；

第一覆蓋絕緣層，設置在所述第一柵電極上；

第一側壁間隔件，設置在所述第一柵電極和所述第一覆蓋絕緣層的側面上；

第二柵電極，設置在所述襯底上；

第二側壁間隔件，設置在所述第二柵電極的側面上；

第一源極/漏極區，設置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；

層間介電層，設置在所述第一源極/漏極區上；以及

局部互連件，將所述第一柵電極與所述第一源極/漏極區連接，其中：

所述局部互連件設置在所述襯底與第一金屬布線層之間，其中，電源供電線設置在所述第一金屬布線層中，

從上往下看時，所述局部互連件具有鑰匙孔形狀，并且所述局部互連件具有頭部、頸部和通過所述頸部連接至所述頭部的主體部分，和

所述頭部設置在所述第一柵電極上方，并且所述主體部分設置在所述第一源極/漏極區上方，

其中，在平面圖中，在所述第一柵電極延伸的方向上，所述頸部的寬度小于所述頭部的寬度和所述主體部分的寬度，

其中，所述頸部設置在所述第一側壁間隔件上方，所述頸部與所述頭部之間的分界面以及所述頸部與所述主體部分之間的分界面均位于所述第一側壁間隔件所限定的區域內，

其中，所述局部互連件嵌入在由所述第一覆蓋絕緣層、所述第一柵電極、所述第一側壁間隔件、所述層間介電層、所述第一源極/漏極區和所述第二側壁間隔件限定的與所述局部互連件的形狀相匹配的空間中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述頸部的寬度在5nm至10nm的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述頭部與所述第一覆蓋絕緣層接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一覆蓋絕緣層包括SiN、SiCN、SiON或SiOCN中的至少一種。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中：

所述第一側壁間隔件由與所述第一覆蓋絕緣層不同的材料制成，并且所述第一側壁間隔件包括SiN、SiCN、SiON或SiOCN中的至少一種。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：

第二覆蓋絕緣層，設置在所述第二柵電極上方。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述局部互連件由W和Co中的至少一種制成。

8.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一覆蓋絕緣層的上表面、所述第一側壁間隔件的上表面和所述局部互連件的上表面彼此齊平。