[發(fā)明專利]等離子體產(chǎn)生裝置及包含該裝置的半導(dǎo)體設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611097322.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN108155093A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 申愛科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務(wù)所 11218
• 代理人: 廉莉莉;孫向民

1.一種等離子體產(chǎn)生裝置，所述等離子體產(chǎn)生裝置包括主筒和沿所述主筒周向設(shè)置的主筒線圈，其特征在于，還包括副筒和沿所述副筒周向設(shè)置的副筒線圈，其中，所述副筒設(shè)置于所述主筒下方，且所述副筒與所述主筒同軸設(shè)置，所述副筒的內(nèi)徑大于所述主筒的內(nèi)徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述副筒的內(nèi)徑大于待加工工件的外徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述副筒的下端面與待加工工件的上表面之間的距離為10-80mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述副筒線圈為平面帶狀線圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述平面帶狀線圈的厚度為1.0mm-2.0mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述主筒線圈和所述副筒線圈分別連接至第一射頻系統(tǒng)和第二射頻系統(tǒng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體產(chǎn)生裝置還包括屏蔽罩和蓋板，所述屏蔽罩套設(shè)于所述主筒和所述副筒外側(cè)，所述屏蔽罩內(nèi)周壁與所述主筒外周壁之間形成第一環(huán)形空間，所述蓋板密封所述第一環(huán)形空間的底部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述副筒固定設(shè)置于所述蓋板下表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述等離子體產(chǎn)生裝置還包括用于支撐所述副筒的支撐板，所述屏蔽罩內(nèi)周壁與所述副筒外周壁之間形成第二環(huán)形空間，所述支撐板密封所述第二環(huán)形空間的底部。

10.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體設(shè)備包括：

反應(yīng)腔；

基座，設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)，用于承載待加工工件；以及

根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的等離子體產(chǎn)生裝置，所述等離子體產(chǎn)生裝置設(shè)置在所述反應(yīng)腔的上方，且所述等離子體產(chǎn)生裝置與所述基座相對(duì)設(shè)置。