[發明專利]一種低干擾電感結構的制造方法有效
| 申請號： | 201611096995.1 | 申請日： | 2016-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN106653568B | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發明（設計）人： | 王浩 | 申請（專利權）人： | 昆山納爾格信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集智東方知識產權代理有限公司 11578 | 代理人： | 張紅;林青 |
| 地址： | 226600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 干擾 電感 結構 制造 方法 | ||
1.一種低干擾電感結構的制造方法，包括：
提供一襯底，并在所述襯底的上表面形成一溝槽；
在所述溝槽底部形成第一電感結構，所述第一電感結構包括第一中間電極、第一邊緣電極、第一電感圖案、連接所述第一中間電極與所述第一電感圖案的第一導電通孔以及連接所述第一邊緣電極與所述第一電感圖案的第一斜面連接層；
其中，所述第一邊緣電極位于所述襯底的上表面，所述第一中間電極位于所述襯底的下表面，所述第一導電通孔貫穿所述溝槽的底部與所述襯底的下表面；
還包括用隔離材料填充所述溝槽，以形成溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構的上表面高于所述襯底的上表面；
還包括在所述溝槽隔離結構中形成一個凹槽，并在所述凹槽中形成第二電感圖案和第二斜面連接層，以及在所述溝槽隔離結構的上表面形成第二邊緣電極，所述第二電感圖案、第二斜面連接層與所述第二邊緣電極一體成型并互相電連接；
還包括在所述凹槽中填充隔離材料直至形成與所述溝槽隔離結構的上表面齊平的頂面；還包括在所述凹槽中的隔離材料中形成第二導電通孔以及在所述頂面上形成第二中間電極。
2.根據權利要求1所述的低干擾電感結構的制造方法，其特征在于，還包括在所述溝槽底部與側面沉積一層絕緣層。
3.根據權利要求2所述的低干擾電感結構的制造方法，其特征在于，所述第一斜面連接層和第一電感圖案均位于所述絕緣層上。
4.根據權利要求1所述的低干擾電感結構的制造方法，其特征在于，所述第一導電通孔形成方法具體包括：通過激光鉆孔的方式形成貫通所述溝槽的底部與所述襯底的下表面的通孔，并用導電物質填充所述通孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
