[發明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201611096841.2 | 申請日： | 2016-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN107017289A | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 澤井敬一;渡邊裕二 | 申請（專利權）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/45 | 分類號： | H01L29/45;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人： | 龍淳,池兵 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
做進到硅襯底的單面中的、含有V族元素作為雜質的雜質區域；和
在所述硅襯底的所述單面上，以覆蓋所述雜質區域的方式設置的鎳膜，
所述雜質區域的V族元素與所述鎳膜的鎳元素化學鍵合。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：
在所述雜質區域的最外表面，雜質濃度為1.0×1020atoms/cm3以上。
3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于：
所述鎳膜的厚度在200nm～1000nm的范圍內。
4.一種半導體器件的制造方法，其為制造在硅襯底的單面具有鎳膜的半導體器件的制造方法，所述半導體器件的制造方法的特征在于：
在所述硅襯底的所述單面做進包含V族元素作為雜質的雜質區域之后，
在所述硅襯底的所述單面上，通過無電解鍍鎳法以覆蓋所述雜質區域的方式形成所述鎳膜，由此，使所述雜質區域的V族元素與所述鎳膜的鎳元素化學鍵合。
5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：
在形成所述鎳膜之后，在200℃～400℃的范圍內的溫度進行退火處理。
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