[發明專利]測試組件及其監控顯示面板電性特性的方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201611096530.6
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN106771726B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 楊一峰;陳方甫
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R27/02
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種用于監控顯示面板電性特性的測試組件，設置于所述顯示面板的非顯示區，其特征在于，所述測試組件至少包括：淺孔測試元件、深孔測試元件及半接孔測試元件，所述淺孔測試元件用于獲取淺孔中源漏極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，所述深孔測試元件用于獲取深孔中柵極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，所述半接孔測試元件用于獲取半接孔中像素電極層分別與源漏極金屬層和柵極金屬層的接觸阻抗大小；

其中，所述半接孔測試元件包括：

柵極金屬層，設置于基板上；

柵極絕緣層，設置于所述基板和所述柵極金屬層上；

有源層，設置于所述柵極絕緣層上；

源漏極金屬層，設置于所述有源層上；

鈍化層，設置于所述源漏極金屬層和所述柵極絕緣層上；

半接孔，形成于所述鈍化層、所述源漏極金屬層、所述有源層及所述柵極絕緣層中，所述半接孔將所述柵極金屬層暴露；

像素電極層，設置于所述鈍化層上，所述像素電極層通過所述半接孔與所述源漏極金屬層和所述柵極金屬層接觸。

2.根據權利要求1所述的測試組件，其特征在于，所述淺孔測試元件包括：

柵極金屬層，設置于基板上；

柵極絕緣層，設置于所述基板和所述柵極金屬層上；

源漏極金屬層，設置于所述柵極絕緣層上；

鈍化層，設置于所述源漏極金屬層和所述柵極絕緣層上；

淺孔，形成于所述鈍化層中，所述淺孔將所述源漏極金屬層暴露；

像素電極層，設置于所述鈍化層上，所述像素電極層通過所述淺孔與所述源漏極金屬層接觸。

3.根據權利要求1或2所述的測試組件，其特征在于，所述淺孔測試元件的數量至少為兩個。

4.根據權利要求1所述的測試組件，其特征在于，所述深孔測試元件包括：

柵極金屬層，設置于基板上；

柵極絕緣層，設置于所述基板和所述柵極金屬層上；

鈍化層，設置于所述柵極絕緣層上；

深孔，形成于所述鈍化層和所述柵極絕緣層中，所述深孔將所述柵極金屬層暴露；

像素電極層，設置于所述鈍化層上，所述像素電極層通過所述深孔與所述柵極金屬層接觸。

5.根據權利要求1或4所述的測試組件，其特征在于，所述深孔測試元件的數量至少為兩個。

6.根據權利要求1所述的測試組件，其特征在于，所述半接孔測試元件的數量至少為一個。

7.一種顯示面板，包括顯示區域和非顯示區域，其特征在于，所述非顯示區域中設置有權利要求1至6任一項所述的測試組件。

8.一種利用權利要求1至6任一項所述的測試組件監控顯示面板的電性特性的方法，其特征在于，所述方法包括：利用所述淺孔測試元件獲取淺孔中源漏極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，且利用所述深孔測試元件獲取深孔中柵極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，且利用所述半接孔測試元件獲取半接孔中像素電極層分別與源漏極金屬層和柵極金屬層的接觸阻抗大小，從而監控顯示面板的電性特性。