[發(fā)明專利]一種常溫常壓下快速制備光電器件電極的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611096020.9 | 申請日: | 2016-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN106784043B | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳軍;韋奕;吳曄;劉凱;曾海波 | 申請(專利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L33/36 |
| 代理公司: | 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 曹成俊 |
| 地址: | 211135 江蘇省南京市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 常溫 壓下 快速 制備 光電 器件 電極 方法 | ||
1.一種常溫常壓下快速制備光電器件電極的方法,其特征在于,采用激光3D打印裝置,所述激光3D打印裝置包括激光器(6)、光快門(7)、反射鏡(8)、聚焦物鏡(9)和三維電動位移臺(11),所述光快門(7)設(shè)置在所述激光器(6)和反射鏡(8)之間,所述聚焦物鏡(9)設(shè)置在所述反射鏡(8)的反射光路上,所述聚焦物鏡(9)直射所述三維電動位移臺(11),包括以下步驟:
1)、利用超聲清洗機(1)對基片(3)進行清洗;
2)、將步驟1)清洗完之后的所述基片(3)進行烘干并放入UV O3清洗機(4)中進行進一步清洗;
3)、將步驟2)清洗完之后的所述基片(3)放在制膜機(5)上進行制膜,得到樣品(10);
4)、利用平移臺控制軟件對電極進行三維電動位移臺(11)移動路徑和光快門(7)開關(guān)進行編輯;
5)、打開激光器(6),關(guān)閉光快門(7);
6)、將步驟3)制備得到的樣品(10)放置在三維電動位移臺(11)上;
7)、通過控制三維電動位移臺(11)將樣品(10)移動到初始位置;
8)、設(shè)置所述激光器(6)的能量,打開所述光快門(7),所述激光器(6)發(fā)出的激光經(jīng)過所述光快門(7)被所述反射鏡(8)反射,之后通過所述聚焦物鏡(9)聚焦在所述樣品(10)表面;
8)、根據(jù)步驟4)得到的三維電動位移臺(11)移動路徑和光快門(7)開關(guān),制作出電極;
9)、利用超聲清洗機(1)對步驟8)得到的電極進行清洗,得到光電器件電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的常溫常壓下快速制備光電器件電極的方法,其特征在于,步驟1)中利用超聲清洗機(1)對所述基片(3)進行清洗包括以下步驟:
步驟1.1:將基片(3)置于燒杯(2)中,并在燒杯(2)中加入清洗溶劑;
步驟1.2:將燒杯(2)置于超聲清洗機(1)中,并加入水;
步驟1.3:打開超聲清洗機(1)進行超聲清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的常溫常壓下快速制備光電器件電極的方法,其特征在于,步驟9)中利用超聲清洗機(1)對步驟8)得到的電極進行清洗包括以下步驟:
步驟9.1:將步驟8)制作好的電極樣品置于燒杯(2)中,并在燒杯(2)中加入清洗溶劑;
步驟9.2:將燒杯(2)置于超聲清洗機(1)中,并加入水;
步驟9.3:打開超聲清洗機(1)進行超聲清洗。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





