[發明專利]一種AMOLED顯示器有效
| 申請號: | 201611095923.5 | 申請日: | 2016-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN108155205B | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 謝雄偉;任思雨;蘇君海;李建華 | 申請(專利權)人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 陳衛;譚映華 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 amoled 顯示器 | ||
本發明為一種AMOLED顯示器,包括玻璃基板、玻璃蓋板、LTPS層以及OLED蒸鍍層,所述OLED蒸鍍層包括陰極層和發光層,所述LTPS層包括像素定義層、間隔層、陽極層、平坦化層、絕緣層、源漏走線、柵極層以及半導體層,所述陽極層被劃分為多個子像素區,所述單個子像素區的平坦區為中心對稱結構;所述柵極層和源漏極層存在交叉點M;所述陽極層平面區的中心、蒸鍍層的中心以及柵極層與源漏極層的交叉點M相互重疊;所述陽極層邊緣設有倒角切割,且倒角切割線的中心點位于下層柵極層或源漏極層的中間。
技術領域
本發明涉及OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)技術領域,尤其是一種AMOLED(Active Matrix OLED,有源矩陣OLED)顯示器的發光器件及制作方法。
技術背景
OLED的基本結構是由一薄而透明具半導體特性的銦錫氧化物(ITO),與電力之正極相連,再加上另一個金屬陰極,包成如三明治的結構。整個結構層中包括了:空穴傳輸層(HTL)、發光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當電力供應至適當電壓時,正極空穴與陰極電荷就會在發光層中結合,產生光亮,依其配方不同產生紅、綠和藍RGB三原色,構成基本色彩。OLED的特性是自己發光,不需要背光。
AMOLED是OLED技術的一種。AMOLED由于自己發光,并且做在背板電路之上,所以發光層的設計、工藝、制程等因素對最終的顯示效果都會有非常大的影響。但是,現有的AMOLED的發光層設計存在諸多缺陷,導致最終的顯示效果并非良好,因此,急需設計一種更好的方案,來從根源上解決背板電路、工藝、制程導致的發光層顯示不均勻的現象。
發明內容
為了解決上述問題,本發明的目的是提供一種AMOLED顯示器,通過改變陽極層及蒸鍍層的圖形設計,在很大程度上改善由背板電路、工藝、制程導致的發光層顯示不均勻的現象。
本發明的技術方案如下:一種AMOLED顯示器,包括玻璃基板、玻璃蓋板、LTPS層以及OLED蒸鍍層,所述OLED蒸鍍層包括陰極層和發光層,所述LTPS層包括像素定義層、間隔層、陽極層、平坦化層、絕緣層、源漏極層、柵極層以及半導體層,所述陽極層被劃分為多個子像素區,單個所述子像素區為中心對稱結構;所述柵極層和源漏極層存在交叉點M;所述陽極層平面區的中心、蒸鍍層的中心以及柵極層與源漏極層的交叉點M相互重疊;所述陽極層邊緣設有倒角切割,且倒角切割線的中心點位于下層柵極層或源漏極層的中間。
進一步的,所述倒角切割線分別與柵極層、源漏極層垂直。
進一步的,所述子像素區包括平整的平坦區和邊緣的通孔引線。
進一步的,所述子像素區中的平坦區形狀為中心對稱結構圖形。
進一步的,所述平坦區的形狀為圓形、矩形、平行四邊形、橢圓形或正多邊形。
進一步的,所述絕緣層包括:絕緣層一、絕緣層二、絕緣層三、絕緣層四。
進一步的,所述玻璃基板、玻璃蓋板、LTPS層以及OLED蒸鍍層各層次的排列順序依次為:玻璃蓋板、陰極層、發光層、間隔層、像素定義層、陽極層、平坦化層、絕緣層一、源漏極層、絕緣層二、柵極層、絕緣層三、半導體層、絕緣層四、玻璃基板。
進一步的,所述陽極層、源漏極層之間的平坦化層和絕緣層一上設有貫穿通孔,陽極層和源漏極層通過通孔連接。
進一步的,所述絕緣層材料為氮化硅或者氧化硅。
采用以上技術方案的有益效果是:本發明通過在陽極層上設置倒切角,并把子像素區的平坦區設置為中心對稱結構,以此讓下層柵極層或者源漏極層造成的子像素區的平坦區不平整的形狀對稱,從而相互抵消對顯示的影響,同時,本發明的陽極層的圖形設計方案,能在很大的程度上抵消來自背板電路、工藝、制程上對陽極層和蒸鍍層的影響,從而使得最終的顯示效果更佳。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





