[發明專利]一種多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除裝置

有效

• 申請號: 201611095790.1
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN106363542B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 陳五奎;劉強;徐文州;陳磊;馮加保;耿榮軍
• 申請（專利權）人: 樂山新天源太陽能科技有限公司
• 主分類號: B24C3/12
• 分類號: B24C3/12;B24C3/08;B24C9/00;B08B5/02
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 李玉興

1.一種多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除裝置，其特征在于：包括支架(1)、無頭皮帶(2)、主動輪(3)、從動輪(4)，所述主動輪(3)、從動輪(4)通過軸承固定在支架(1)上，所述無頭皮帶(2)繞過主動輪(3)、從動輪(4)并被主動輪(3)和從動輪(4)繃緊，所述支架(1)上連接有用于驅動主動輪(3)轉動的驅動電機(5)，所述無頭皮帶(2)水平設置且在位于上層的無頭皮帶(2)和位于下層的無頭皮帶(2)之間設置有支撐平臺(6)，所述支撐平臺(6)通過支撐桿固定在支架(1)上，所述支撐平臺(6)的上表面為光滑的平面，所述位于上層的無頭皮帶(2)與支撐平臺(6)的上表面相接觸，所述支撐平臺(6)的兩個端面為內凹的弧面，所述支撐平臺(6)的上方設置有噴砂裝置(7)，所述噴砂裝置(7)包括導料管(701)、N個噴砂頭(702)，N為偶數，所述導料管(701)的前端連接有料斗(703)，所述導料管(701)上連接氣管(704)，所述氣管(704)的一端連接有空氣壓縮機(705)，另一端為出氣口且出氣口與導料管(701)連通，所述氣管(704)內的氣體從出氣口噴出時的方向與導料管(701)的中心軸線之間的夾角小于90°,所述氣管(704)內氣體的壓力為0.05-0.1個標準大氣壓，所述N個噴砂頭(702)沿無頭皮帶(2)的移動方向依次設置，砂從噴砂頭(702)噴出后噴在無頭皮帶(2)上的區域為噴砂區域，相鄰的兩個所述噴砂頭(702)在無頭皮帶(2)上的噴射區域無縫連接；

所述導料管(701)的末端連接有一個第一級噴砂管(706)，所述第一級噴砂管(706)的末端連接有兩個第二級噴砂管(707)，一個第一級噴砂管(706)與兩個第二級噴砂管(707)組成“人”字形結構，每個第二級噴砂管(707)末端連接有兩個第三級噴砂管(708)，一個第二級噴砂管(707)與兩個第三級噴砂管(708)組成“人”字形結構，依次類推，第三級噴砂管(708)的末端連接有第四級噴砂管(709)，第四級噴砂管(709)的末端連接有第五級噴砂管，…，第n-1級噴砂管的末端連接有第n級噴砂管，n≥2，第n級噴砂管的數量與噴砂頭(702)的數量相同，每個第n級噴砂管的末端都與一個噴砂頭(702)相連，并且第n-1級噴砂管的內徑是第n級噴砂管內徑的兩倍；

所述支架(1)上設置有用于輸送硅片的多個輸送滾輪(8)，相鄰的輸送滾輪(8)之間通過傳動機構相連，靠近從動輪(4)的輸送滾輪(8)與從動輪(4)之間通過傳動機構相連，所述無頭皮帶(2)、多個輸送滾輪(8)沿位于上層的無頭皮帶(2)的運行方向依次設置，且每個輸送滾輪(8)的最高位置與位于上層的無頭皮帶(2)的上表面位于同一水平面，所述輸送滾輪(8)的上方設置有兩個限位滾輪(9)，兩個限位滾輪(9)與下方的其中兩個相鄰的輸送滾輪(8)一一對應，限位滾輪(9)與輸送滾輪(8)之前的間隙寬度與硅片的厚度相匹配，兩個限位滾輪(9)之間以及與兩個限位滾輪(9)對應的輸送滾輪(8)之間均設置有氣刀發生裝置(10)，所述氣刀發生裝置(10)產生的氣刀吹向限位滾輪(9)與輸送滾輪(8)之間的硅片。

2.如權利要求1所述的多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除裝置，其特征在于：所述主動輪(3)、從動輪(4)沿無頭皮帶(2)的運行方向依次設置，所述從動輪(4)的外側下方設置有氣刀發生裝置(10)，所述氣刀發生裝置(10)的產生的氣刀斜向上吹向無頭皮帶(2)。

3.如權利要求2所述的多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除裝置，其特征在于：所述氣刀發生裝置(10)包括噴管(1001)，所述噴管(1001)的兩端密封，所述噴管(1001)水平設置且垂直于無頭皮帶(2)的運行方向，所述噴管(1001)的表面沿軸向方向開有氣刀縫隙(1002)，所述噴管(1001)上連接有進氣管(1003)，進氣管(1003)的另一端連接與空氣壓縮機(705)相連。

4.如權利要求3所述的多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除裝置，其特征在于：所述氣刀縫隙(1002)上連接有具有夾層空間的導流夾板(1004)，所述導流夾板(1004)與豎直方向的夾角大于0度且小于90度，所述氣刀沿導流夾板(1004)的夾層空間噴出的方向與硅片的移動方向之前的夾角大于90度。

5.如權利要求4所述的多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除裝置，其特征在于：所述料斗(703)位于輸送滾輪(8)下方，且從動輪(4)位于料斗(703)上方。