[發(fā)明專(zhuān)利]一種覆銅陶瓷及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611095518.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108147832B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邵長(zhǎng)健;林信平;徐強(qiáng);劉成臣;宋山青 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/48;C04B37/02 |
| 代理公司: | 深圳眾鼎專(zhuān)利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 譚果林 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種覆銅陶瓷,其特征在于,包括有氮化鋁陶瓷、改性層和銅層;
所述氮化鋁陶瓷的表面形成有氧化鋁膜;
所述改性層中包括改性顆粒,所述改性顆粒包括玻璃粉,所述改性層位于所述氧化鋁膜和銅層之間;
所述改性層部分滲入所述氧化鋁膜內(nèi)形成莫來(lái)石相。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述氮化鋁陶瓷為片狀材料,厚度為0.3~2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述玻璃粉包括硅氧化物和硅酸鹽中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述改性顆粒還包括氧化鋁,所述玻璃粉與氧化鋁的重量組分比為:30~70:1~60。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述改性顆粒還包括氧化亞銅和銅粉,所述玻璃粉、氧化亞銅和銅粉的重量組分比為:30~70:1~30:1~30。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述改性顆粒還包括氧化鋯和二氧化錳,所述玻璃粉、氧化鋯和二氧化錳的重量組分比為:30~70:1~20:1~20。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述銅層的厚度為0.1mm~1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆銅陶瓷,其特征在于,所述銅層與所述改性層接觸的一面上形成有氧化亞銅膜,所述改性層部分滲入所述氧化亞銅膜中。
9.如權(quán)利要求1~8中任意一項(xiàng)所述覆銅陶瓷的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:
在氮化鋁陶瓷表面形成氧化鋁膜;
在所述氧化鋁膜表面形成改性層;其中,所述改性層中包括改性顆粒,所述改性顆粒包括玻璃粉;
在所述改性層表面形成銅層,通過(guò)熱處理使銅層、改性層與氮化鋁陶瓷結(jié)合一體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,通過(guò)熱氧化工藝在所述氮化鋁陶瓷的表面形成氧化鋁膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,所述熱氧化工藝具體包括:將氮化鋁陶瓷放置于氧分壓為0.01atm~0.5atm的流動(dòng)氣氛中,以2℃/min~20℃/min的升溫速率升溫至800℃~1300℃,保溫10min~300min,然后降溫至室溫。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,在所述氧化鋁膜表面形成改性層包括:
在氧化鋁膜上覆蓋包含有所述改性顆粒的改性漿料,烘烤使改性漿料干燥,在所述氧化鋁膜表面形成改性層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,“在所述氧化鋁膜表面形成改性層”包括:
在氧化鋁膜上覆蓋包含有所述改性顆粒的改性漿料,烘烤使改性漿料干燥;
將上述處理后的氮化鋁陶瓷置于氧分壓為0.001atm~0.5atm的流動(dòng)氣氛環(huán)境中,以2℃/min~20℃/min的升溫速率升溫至1000℃~1500℃,然后保溫10min~300min,進(jìn)而在所述氧化鋁膜表面形成改性層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,所述改性漿料包括如下重量組分:改性顆粒40~60份,松油醇:40~60份,乙基纖維素:1~4份,鄰苯二甲酸二丁酯:3~6份和流平劑:0.2~0.5份。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,所述改性漿料通過(guò)絲網(wǎng)印制印刷于所述氮化鋁陶瓷的氧化鋁膜表面,改性漿料的印刷厚度為0.5μm~50μm。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆銅陶瓷制備方法,其特征在于,在所述改性層表面形成銅層包括:
對(duì)銅片進(jìn)行預(yù)氧化,在銅片與改性層接觸的表面形成氧化亞銅膜;
將預(yù)氧化后的銅片覆蓋在所述改性層上;
將經(jīng)過(guò)上述處理后的氮化鋁陶瓷置于氧分壓為0~100ppm的保護(hù)氣氛中,升溫至1065℃~1083℃,然后保溫10min~180min,以使銅層、改性層與氮化鋁陶瓷結(jié)合一體。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于比亞迪股份有限公司,未經(jīng)比亞迪股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611095518.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





