[發明專利]一種新型納米銀復合導電薄膜

在審

• 申請號: 201611093695.8
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN106782771A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 潘中海;司榮美;劉彩風
• 申請（專利權）人: 天津寶興威科技股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;B82B1/00;B82Y30/00
• 代理公司: 天津市新天方有限責任專利代理事務所12104
• 代理人: 張強

技術領域

本發明涉及導電薄膜技術領域，尤其涉及一種新型納米銀復合導電薄膜。

背景技術

導電薄膜如今已經成為觸摸屏等電子元件不可缺少的組成部分，尤其隨著納米技術的發展，導電薄膜也迎來了“納米時代”，特別是納米銀導電薄膜應用很廣。但是現有納米銀導電薄膜仍然存在缺陷，例如導電性不理想，不能夠實現滿版連續導電，納米銀電極與納米銀電極間隙之間存在霧度差異，納米銀易氧化、易脫落。因此，需要設計一種新型納米銀復合導電薄膜。

發明內容

本發明旨在解決現有技術的不足，而提供一種新型納米銀復合導電薄膜。

本發明為實現上述目的，采用以下技術方案：

所述的一種新型納米銀復合導電薄膜，包括基板，基板上間隔設有若干獨立的納米銀電極，相鄰納米銀電極之間形成電極間隙，基板上的電極間隙對應位置處分布有光散射粒子，所述光散射粒子為納米銀、納米二氧化硅、納米二氧化鈦中一種或者幾種，在以上納米銀電極、電極間隙處的光散射粒子層、基板的表層設有石墨烯層。

優選地，所述石墨烯層的設置方式為懸涂或噴涂。

優選地，基板的材料為聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、鋼化玻璃中的一種。

優選地，電極間隙與納米銀電極對應位置處的的霧度差值在0.1以內。

優選地，電極間隙對應位置處的霧度值范圍在0.8～1.0之間。

優選地，所述石墨烯層的外層設有環氧樹脂層。

本發明的有益效果是：本發明通過在電極間隙對應位置處設置光散射粒子，使得納米銀電極與電極間隙對應位置處霧度差值縮小到合理水平；石墨烯層的設置一方面使納米銀導電薄膜實現滿版連續導電，一方面防止納米銀電極脫落、氧化。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖。

圖中：1-基板；2-納米銀電極；3-電極間隙。

以下將結合本發明的實施例參照附圖進行詳細敘述。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明：

如圖1所示，一種新型納米銀復合導電薄膜，包括基板1，基板1上間隔設有若干獨立的納米銀電極2，相鄰納米銀電極2之間形成電極間隙3，納米銀電極2的形成方法為，先在基板1表面涂布整層的納米銀導電層，再采用黃光工藝圖案化該整層的納米銀導電層以形成間隔分布的納米銀電極2，基板1上的電極間隙3對應位置處分布有光散射粒子，所述光散射粒子為納米銀、納米二氧化硅、納米二氧化鈦中一種或者幾種，在以上納米銀電極2、電極間隙3處的光散射粒子層、基板1的表層設有石墨烯層(圖中未示出)，使導電薄膜滿版連續導電，同時具有防止納米銀電極2氧化、脫落的作用。

優選地，所述納米銀電極2經過氬等離子體輻照，使得納米銀電極2導電性更強。

優選地，所述石墨烯層的設置方式為懸涂或噴涂。

優選地，基板1的材料為聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、鋼化玻璃中的一種。

優選地，電極間隙3與納米銀電極2對應位置處的的霧度差值在0.1以內。

優選地，電極間隙3對應位置處的霧度值范圍在0.8～1.0之間。

優選地，所述石墨烯層的外層設有環氧樹脂層(圖中未示出)，以進一步防止納米銀電極2脫落或者氧化。

上面結合附圖對本發明進行了示例性描述，顯然本發明具體實現并不受上述方式的限制，只要采用了本發明的方法構思和技術方案進行的各種改進，或未經改進直接應用于其它場合的，均在本發明的保護范圍之內。